【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请要求于2014年2月18日提交的美国临时专利申请序列号61/941,345的提交日的优先权,该临时申请要求于2014年4月16日提交的美国专利申请序列号14/254,494的提交日的优先权,这两篇申请的全部内容通过援引纳入于此。
本申请涉及集成电路封装,尤其涉及具有金属桩互连的底部封装。背景有机基板由于其低成本而通常在层叠封装架构中使用。例如,触发器管芯(诸如微处理器)可通过多个焊料凸块或铜柱耦合至用于底部封装的有机基板的第一表面。为了支持至顶部封装基板的耦合或互连,底部封装基板具有足够大的占用面积,从而底部封装管芯在底部封装基板的第一表面上存在周界。该周界可随后支持至顶部封装的焊球互连。尽管结果所得的层叠封装架构由于其低成本而非常流行,但是有机基板通常不适于现代的细间距管芯,因为有机基板仅容适相对粗略的互连间距。该互连间距是基板至管芯互连(诸如,微凸块或铜柱)与底部封装至顶部封装互连(诸如,焊球)之间的分隔。由于针对有机基板的互连间距限制,用于现代的细间距管芯的底部封装基板通常包括玻璃或半导体中介体。与有机基板形成对比,玻璃或半导体中介体支持细间距互连。因此将细间距管芯安装到中介体上是常规的,因为玻璃或硅中介体实现必要的细间距互连。多个细间距管芯(诸如,第一处理器管理和第二处理器管芯)可安装到同一中介体上。中介体通过重分布层(RDL)从每个管芯接收细间距互连(诸如,微凸块或铜柱),该互连使得每个管芯能通过RDL与其他(诸)管芯通信。尽管结果所得的中介体封装因此是有利的,因为它容适必要的细间距互连,但是使处理器与相关联的外部存储 ...
【技术保护点】
一种封装,包括:基板;管芯侧重分布层;所述管芯侧重分布层上的晶种层;通过所述晶种层电耦合至所述管芯侧重分布层的多个管芯互连;以及通过所述晶种层电耦合至所述管芯侧重分布层的多个金属桩。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.02.18 US 61/941,345;2014.04.16 US 14/254,4941.一种封装,包括:基板;管芯侧重分布层;所述管芯侧重分布层上的晶种层;通过所述晶种层电耦合至所述管芯侧重分布层的多个管芯互连;以及通过所述晶种层电耦合至所述管芯侧重分布层的多个金属桩。2.如权利要求1所述的封装,其特征在于,进一步包括电耦合至所述多个管芯互连的至少子集的至少一个管芯。3.如权利要求2所述的封装,其特征在于,所述基板包括玻璃中介体,并且其中所述至少一个管芯包括多个管芯,每个管芯电耦合至所述管芯互连的相应子集。4.如权利要求3所述的封装,其特征在于,进一步包括至少部分地封装所述多个管芯的模塑复合物,并且其中所述管芯互连和所述金属桩两者都包括选自由铜和镍构成的组中的金属。5.如权利要求2所述的封装,其特征在于,进一步包括电耦合至所述多个金属桩的顶部封装。6.如权利要求1所述的封装,其特征在于,所述管芯互连包括多个焊料凸块。7.如权利要求1所述的封装,其特征在于,所述管芯互连包括多个焊柱。8.如权利要求1所述的封装,其特征在于,进一步包括:延伸通过所述基板的多个穿板通孔;与所述基板的面向板的表面毗邻的面向板的重分布层,其中所述穿板通孔的至少子集将所述面向管芯的重分布层电耦合至所述面向板的重分布层。9.如权利要求8所述的封装,其特征在于,进一步包括毗邻所述基板的所述面向板的表面的多个焊球,其中所述多个焊球电耦合至所述面向板的重分布层。10.如权利要求8所述的封装,其特征在于,所述管芯侧重分布层和所述面向板的重分布层各自包括经图案化的铜金属层。11.一种方法,包括:在基板上通过毗邻重分布层的介电层来形成多个管芯互连开口;通过所述介电层来形成多个金属桩开口;在所述管芯互连开口中形成管芯互连;以及在所述金属桩开口中形成金属桩。12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,进一步包括:在所述重分布层上沉积晶种层,其中形成所述管芯互连包括将所述管芯互连镀敷到所述晶种层的暴露于所述管芯互连开口内的部分上,并且其中形成所述金属桩包括将所述金属桩镀敷到所述晶种层的暴露于所述金属桩开口内的部分上。13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,镀敷所述管芯互连和所述金属桩包括镀敷选自由铜和镍构成的组中的金属。14.如权利要求11所述的方法,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·顾,R·拉多伊契奇,D·W·金,
申请(专利权)人:高通股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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