一种水平电极倒装红光LED芯片及其制备方法技术

一种水平电极倒装红光LED芯片及其制备方法，涉及LED芯片的生产技术领域。本发明专利技术方法无需在ODR介质层内开孔，而是利用整面ODR介质层与键合层形成ODR全方位反射镜，使P面保证较高的反射水平；通过湿法腐蚀从N面刻蚀至P‑GaP层，在P‑GaP电流扩展层上淀积金属，光刻实现P‑Pad 中心电极的制作，最后形成水平电极结构的AlGaInP倒装红光芯片。本发明专利技术工艺简单、合理，可使RGB混合应用端封装成本较低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED芯片的生产

技术介绍
目前提高AlGaInP四元系红光芯片光效的最有效方式为采用晶圆键合（Wafer bonding）的衬底转移技术，并结合制作P面全方位反射镜（ODR）及N面粗化工艺，结合这三种工艺可使得制备的AlGaInP红光LED芯片光效为传统正装结构芯片的3～4倍；但是，在制作高反射率的ODR时，常采用SiO2或MgF2作为介质层，这两种材质均不导电，为使P极载流子顺利通过介质层并到达有源区，需要在介质层中刻蚀出一定大小和数量的孔洞，并填充金属导电欧姆接触材料，介质孔的存在会大幅降低ODR对从有源区射向P面的光的反射率，此外工艺上由于ODR介质孔内导电金属与P面GaP欧姆接触难以控制，容易造成芯片局部电流集中，顺向电压Vf偏高，抗静电等可靠性差的问题；而且其N、P电极在芯片的上下两侧，为垂直结构，与蓝绿光芯片电极结构上的差异，使RGB混合应用端封装成本提高。
技术实现思路
本专利技术目的是提出一种N、P电极在芯片的同侧，芯片顺向电压Vf较低、抗静电性能较好的水平电极倒装红光LED芯片。本专利技术在衬底的同一侧依次设置有键合层、ODR介质层、P-Ga本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种水平电极倒装红光LED芯片，包括衬底、键合层，其特征在于在键合层上依次设置ODR介质层和P‑GaP电流扩展层，在一小部分P‑GaP电流扩展层上设置P面P‑Finger扩展电极和P‑Pad 中心电极，在大部分P‑GaP电流扩展层上依次设置P‑Space限制层、MQW有源区、N‑Space限制层和N‑AlGaInP粗化层；在部分N‑AlGaInP粗化层上设置N‑GaAs欧姆接触层，在N‑GaAs欧姆接触层上设置N面N‑Finger扩展电极和N‑Pad 中心电极。

【技术特征摘要】
1.一种水平电极倒装红光LED芯片，包括衬底、键合层，其特征在于在键合层上依次设置ODR介质层和P-GaP电流扩展层，在一小部分P-GaP电流扩展层上设置P面P-Finger扩展电极和P-Pad 中心电极，在大部分P-GaP电流扩展层上依次设置P-Space限制层、MQW有源区、N-Space限制层和N-AlGaInP粗化层；在部分N-AlGaInP粗化层上设置N-GaAs欧姆接触层，在N-GaAs欧姆接触层上设置N面N-Finger扩展电极和N-Pad 中心电极。2.如权利要求1所述水平电极倒装红光LED芯片的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）采用MOCVD方法，在一临时衬底的同一侧依次生长N-Ga0.5In0.5P腐蚀停层、N-GaAs欧姆接触层、N-AlGaInP粗化层、N-Space限制层、MQW有源区、P-Space限制层和P-GaP电流扩展层，取得外延片；2）在外延片的P-GaP电流扩展层上依次...

【专利技术属性】
技术研发人员：石峰，杨凯，林鸿亮，赵宇，田海军，李波，张双翔，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32