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一种水平电极倒装红光LED芯片及其制备方法，涉及LED芯片的生产技术领域。本发明方法无需在ODR介质层内开孔，而是利用整面ODR介质层与键合层形成ODR全方位反射镜，使P面保证较高的反射水平；通过湿法腐蚀从N面刻蚀至P‑GaP层，在P‑Ga...
该专利属于扬州乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州乾照光电有限公司授权不得商用。

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