近接传感器封装构造及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种近接传感器封装构造及其制作方法，一近接传感器封装构造主要包含一基板、一光发射元件、一光接收元件、一第一透明封装体、一第二透明封装体及一不透明封装体。所述光发射元件及光接收元件设于所述基板上，所述第一及第二透明封装体分别封装所述光发射元件及光接收元件，其顶面分别具有一出光部及一入光部；所述不透明封装体封装部分的所述第一及第二透明封装体，曝露所述出光部及入光部。本发明专利技术的近接传感器封装构造通过模具内部设有弹性部以抵贴光学组件透明封装体表面的方式来进行不透明封装体的封装，可取代现有具有透镜的壳体组装方式，除了能简化结构及组装方式外，也有利于尺寸的微小化。

【技术实现步骤摘要】
本申请是下述申请的分案申请：专利技术名称：近接传感器封装构造及其制作方法申请号：201310349073.7申请日：2013年8月12日
本专利技术是涉及一种近接传感器(Proximity Sensor)封装构造及其制作方法，特别是涉及一种通过模具内部设有弹性部以抵贴光学组件透明封装体表面的方式来进行不透明封装体的封装所形成的近接传感器封装构造及其制作方法。
技术介绍
红外线(IR,Infrared)是波长比红光长的非可见光，波长在770纳米(nm)至1毫米(mm)之间，是波长介于微波与可见光之间的电磁波，在通讯、探测、医疗、军事等方面有广泛的用途。红外线与可见光有着相同的特性，如反射率，而且它可以通过特殊灯泡或发光二极管来生成，并且因为人的肉眼无法看到红外线光，所以我们可以用它来达成一些特殊的人机界面的特殊功能，如近接侦测。红外线近接传感器(Proximity Sensor)能够侦测附近物体的存在与否，并根据侦测结果做出反应，其应用范围极为广泛。例如，手机可以使用近接传感技术来侦测通话时手机是否近接使用者的脸部。当你把手机靠近耳边以接听手机时，手机内的近接传感器能侦测到使用者头部的存在，从而自动关闭屏幕以节省电能；或是在你口袋中的电话突然响起的时候，这时候近接传感器也会感应到有物体近接，从而保持屏幕关闭。再例如，同样的装置也可以应用在笔记型电脑上面，当使用者的手部近接键盘的时候，才启动键盘的背
光。再者，近接侦测通过专门设计的光发射元件及对应的光接收元件来实现。光发射元件例如是一红外线发光二极管；光接收元件例如是一光电二极管，用来侦测红外线发光二极管发出的红外线光。红外线发光二极管和光电二极管被设计成同方向放置。当无物体在发光二极管的前方时，光电二极管不会侦测到任何红外线光；当有物体在发光二极管的前方时，物体会将红外线光反射回光电二极管，从而侦测到物体的近接，并且反射回光电二极管的红外线光强度与物体到光电二极管的距离成反比关系。一般来说，使用于便携型电子产品中的近接传感器的尺寸极小，例如长度小于4毫米(mm)。而现有的小型近接传感器是通过一基板承载光发射元件及光接收元件，并在其外部罩设一壳体来组装。并且需要在壳体上对应光发射及接收元件开设有二个窗口，在这些窗口上分别设置透镜以防止灰尘进入内部，及及提高光线发射及接收的效率。然而，上述现有近接传感器构造除了组装复杂的缺点外，也不利于尺寸的微小化。故，有必要提供一种近接传感器封装构造及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种近接传感器封装构造及其制作方法，通过模具内部设有弹性部以弹性抵贴光学组件透明封装体表面的方式来进行不透明封装体的封装，可取代现有具有透镜的壳体组装方式，除了能简化结构及组装方式外，也有利于尺寸的微小化。为达成本专利技术的前述目的，本专利技术提供一种近接传感器封装构造，其包含：一基板、一光发射元件、一光接收元件、一第一透明封装体、一第二透明封装体及一不透明封装体。所述光发射元件及光接收元件设于所述基板上；所述第一透明封装体封装所述光发射元件，并具有一出光部及一环绕所述出
光部的第一环墙部；所述第二透明封装体封装所述光接收元件，并具有一入光部及一环绕所述入光部的第二环墙部；及所述不透明封装体封装部分的所述第一及第二透明封装体，且曝露所述第一及第二透明封装体的出光部及入光部，部分的所述不透明封装体位于所述第一及第二透明封装体之间。本专利技术另提供一种近接传感器封装构造的制作方法，其包含以下步骤：提供一构造，所述构造包含一基板、一光发射元件、一光接收元件、一第一透明封装体及一第二透明封装体，所述光发射元件及所述光接收元件设于所述基板构造上；所述第一透明封装体具有一出光部及一环绕所述出光部的第一环墙部，所述第二透明封装体具有一入光部及一环绕所述入光部的第二环墙部；及以一不透明胶体封装部分的所述第一及第二透明封装体，且曝露所述第一及第二透明封装体的出光部及入光部，以形成所述不透明封装体，其中部分的所述不透明封装体位于所述第一及第二透明封装体之间。本专利技术再提供一种近接传感器封装构造的制作方法，其包含以下步骤：提供一基板构造，所述基板构造包含一基板、一光发射元件、一光接收元件，所述光发射元件及所述光接收元件设于所述基板构造上；以一透明胶体封装所述光发射元件及所述光接收元件分别形成一第一透明封装体及一第二透明封装体，使其分别具有一出光部及一入光部；提供一封装模具，其包含一模穴，所述模穴内顶面设有一弹性部，所述弹性部抵贴于所述透明封装体的出光部及入光部以使所述出光部与入光部陷入于所述弹性部内；及以一不透明胶体封装部分的所述第一及第二透明封装体，且曝露所述透明封装体的出光部及入光部，以形成所述不透明封装体，其中部分的所述不透明封装体位于所述第一及第二透明封装体之间。附图说明图1A是本专利技术一实施例的近接传感器封装构造的立体示意图。图1B是本专利技术一实施例的近接传感器封装构造的侧剖视图。图2A-2F是本专利技术一实施例的近接传感器封装构造的制作方法示意图。图3A是本专利技术另一实施例的近接传感器封装构造的立体示意图。图3B是本专利技术另一实施例的近接传感器封装构造的侧剖视图。图4A-4F是本专利技术另一实施例的近接传感器封装构造的制作方法示意图。具体实施方式为让本专利技术上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本专利技术较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。再者，本专利技术所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在此特别说明，图中所绘的各物件并非按照各物件的标准比例(如基板、芯片、导线与封装模具的比例)，仅作为示意之用。请参照图1A及1B所示，图1A是本专利技术一实施例的近接传感器封装构造的立体示意图；及图1B是本专利技术一实施例的近接传感器封装构造的侧剖视图。如图1A及1B所示，一近接传感器封装构造100主要包含一基板11、一光发射元件12、一光接收元件13、一第一透明封装体14、一第二透明封装体15及一不透明封装体16。所述光发射元件12及光接收元件13相隔一距离的设于所述基板11上，所述第一透明封装体14及第二透明封装体15分别封装所述光发射元件12及光接收元件13，所述透明封装体14,15的顶面分别具有一出光部141及一入光部151；所述不透明封装体16封装部分的所述透明封装体14,15，曝露所述透明封装体14,15的出光部141及入光部151，所述不透明封装体16至少包含一挡墙161，所述挡墙161位于所述第一及第二透明封装体14,15之间，所述挡墙161的高度大于所述透明封装体14,15的出光部141及入光部151的高度，也就是说部分的所述不透明封装
体16是位于所述第一及第二透明封装体14,15之间。所述光发射元件12例如是一红外线(IR,Infrared)发光二极管；所述光接收元件13例如是一光电二极管，用来侦测所述光发射元件12发出的红外线光。然而，本专利技术并不限于此，所述光发射元件12及所述光接收元件13可以是其他具有发射及接收光线的光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电封装构造，其特征在于：所述光电封装构造包含：一基板；一光电组件，设于所述基板上；一透明封装体，封装所述光电组件，其中所述透明封装体具有一出光部或入光部一环绕所述出光部或入光部的挡墙部；及一不透明封装体，封装部分的所述透明封装体，且曝露所述透明封装体的出光部或入光部。

【技术特征摘要】
1.一种光电封装构造，其特征在于：所述光电封装构造包含：一基板；一光电组件，设于所述基板上；一透明封装体，封装所述光电组件，其中所述透明封装体具有一出光部或入光部一环绕所述出光部或入光部的挡墙部；及一不透明封装体，封装部分的所述透明封装体，且曝露所述透明封装体的出光部或入光部。2.如权利要求1所述的光电封装构造，其特征在于：所述挡墙部的高度等于或大于所述出光部或入光部的高度。3.如权利要求1所述的光电封装构造，其特征在于：所述出光部或入光部包含一透镜结构，所述透镜结构与所述透明封装体是一体成形。4.如权利要求3所述的光电封装构造，其特征在于：所述光电组件更包含一光发射组件及一光接收组件，设于所述基板上；所述透明封装体包括一第一透明封装体，封装所述光发射组件，其中所述第一透明封装体具有一出光部；所述挡墙部包括一环绕所述出光部的第一挡墙部；所述透明封装体包括一第二透明封装体，封装所述光接收组件，其中所述第二透明封装体具有一入光部；所述挡墙部包括一环绕所述入光部的第二挡墙部；及所述不透明封装体包括一不透明胶体封装部分的所述第一及第二透明封装体，且曝露所述第一及第二透明封装体的出光部及入光部，以形成一不透明封装体，其中部分的所述不透明封装体位于所述第一及第二透明 封装体之间。5.如权利要求3所述的光电封装构造，其特征在于：所述透镜结构的高度低于所述挡墙部的高...

【专利技术属性】
技术研发人员：何信颖，李育芸，陈柏年，简钰庭，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71