包括具有穿过封装层的侧势垒层的通孔的集成器件制造技术

一些新颖特征涉及一种包括封装层、穿过封装层的通孔结构、以及焊盘的集成器件。该通孔结构包括包含第一侧、第二侧和第三侧的通孔。该通孔结构还包括围绕通孔的至少第一侧和第三侧的势垒层。焊盘直接耦合至通孔结构的势垒层。在一些实现中，该集成器件包括耦合至封装层的第一表面的第一电介质层。在一些实现中，该集成器件包括耦合至封装层的第一表面的基板。在一些实现中，该集成器件包括耦合到基板的第一管芯，其中封装层封装该第一管芯。在一些实现中，通孔包括配置成作为焊盘来操作的部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请要求2014年5月9日提交的题为“Integrated Device Comprising Via With Side Barrier Layer Traversing Encapsulation Layer(包括具有穿过封装层的侧势垒层的通孔的集成器件)”的美国申请No.14/274,517的优先权，该美国申请要求2014年2月13日提交的题为“Integrated Device Comprising Via With Side Barrier Layer Traversing Encapsulation Layer(包括具有穿过封装层的侧势垒层的通孔的集成器件)”的美国临时申请No.61/939,523的优先权，这两篇申请通过援引明确纳入于此。背景领域各种特征涉及包括具有穿过封装层的侧势垒层的通孔的集成器件。背景图1解说了第一封装102耦合至第二封装104。第一封装102包括第一基板106、第一管芯(例如，芯片)108、模具110、第一组焊球116、第一组互连118、以及第三组焊球126。第一基板106可包括迹线和/或通孔(两者均未示出)。第二封装104包括第二基板105、第二管芯107、第三管芯109、第二组焊球115、第一组引线接合117、以及第二组引线接合119。第二基板105可包括迹线和/或通孔(两者均未示出)。第二封装104定位于第一封装102之上。第一管芯108通过第一组互连118耦合至第一基板106的第一表面(例如，顶表面)。模具110封装第一管芯108和第一组互连118。第一组焊球116耦合至第一基板106的第二表面(例如，底表面)。第三组焊球126耦合至第一基板106的第一表面(例如，顶表面)。第三组焊球126被模具110围绕。第一基板106包括可电连接至第一管芯108和/或第一组焊球116的一组迹线和/或通孔。第二管芯107和第三管芯109耦合至第二基板105的第一表面(例如，顶表面)。第二管芯107通过第一组引线接合117电耦合至第二基板105的迹线和/或通孔。第三管芯109通过第二组引线接合119电耦合至第二基板105的迹线和/或通孔。第二组焊球115耦合至第二基板105的第二表面(例如，底表面)。图2解说了常规的层叠封装(PoP)集成器件。如图2中所示，集成器件200包括图1的第一封装102和第二封装104。如图2中所示，当第一封装102耦合至第二封装104时，第二封装104的第二组焊球115耦合至第一封装102的第三组焊球126。图1和2中所示的层叠封装(PoP)配置的一个主要缺点在于，其创建了具有对于移动计算设备的需要而言可能过大的形状因子的集成器件。即，图2中示出的PoP配置可能太厚和/或具有太大以至于不能满足移动计算设备的需要和/或要求的表面面积。具体地，存在减小集成器件、特别是将要在移动设备中实现的集成器件的大小的不断需要。此外，制造PoP配置的工艺可能是复杂且昂贵的。因此，存在对具有改进的形状因子(例如，更小、更窄、更薄)的节省成本的集成封装的需要。理想地，此类集成封装将提供较高密度连接以及比目前的集成封装更节省(例如，更便宜)的成本来制造。概述本文描述的各种特征、装置、和方法提供了包括具有穿过封装层的侧势垒层的通孔的集成器件。第一示例提供了一种包括封装层、穿过封装层的通孔结构、以及焊盘的集成器件。该通孔结构包括包含第一侧、第二侧和第三侧的通孔。该通孔结构还包括围绕通孔的至少第一侧和第三侧的势垒层。焊盘直接耦合至通孔结构的势垒层。根据一方面，该集成器件包括耦合至封装层的第一表面的第一电介质层。在一些实现中，该集成器件包括耦合至封装层的第二表面的第二电介质层。根据一个方面，该集成器件包括耦合至封装层的第一表面的基板。在一些实现中，该集成器件包括耦合到基板的第一管芯，其中封装层封装该第一管芯。在一些实现中，通孔结构进一步包括填充物。根据一方面，通孔包括晶种层。根据一个方面，通孔包括配置成作为焊盘来操作的部分。根据一方面，该集成器件包括至少中介体、封装器件、和/或层叠封装(PoP)器件中的一者。根据一个方面，集成器件被纳入在音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。第二示例提供了一种包括封装层、穿过封装层的通孔结构、以及焊盘的装置。该通孔结构包括包含第一侧、第二侧和第三侧的通孔。该通孔结构包括围绕通孔的至少第一侧和第三侧的势垒装置。焊盘直接耦合至通孔结构的势垒层。根据一方面，该装置包括耦合至封装层的第一表面的第一电介质层。在一些实现中，该装置包括耦合至封装层的第二表面的第二电介质层。根据一个方面，该装置包括耦合至封装层的第一表面的基板。在一些实现中，该装置包括耦合到基板的第一管芯，其中封装层封装该第一管芯。根据一方面，通孔结构包括填充装置。根据一个方面，通孔包括晶种层。根据一方面，通孔包括配置成作为焊盘来操作的部分。根据一个方面，该装置包括至少中介体、封装器件、和/或层叠封装(PoP)器件中的一者。根据一个方面，该装置被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机。第三示例提供了一种用于制造集成器件的方法。该方法包括在基板上形成焊盘。该方法在基板上形成封装层。该方法在封装层中形成通孔结构，其中形成通孔结构包括(1)在封装层中形成势垒层，以及(2)在势垒层上形成通孔，该通孔包括第一侧、第二侧和第三侧，该通孔被形成在势垒层上以使得势垒层围绕通孔的至少第一侧和第三侧，其中该势垒层直接耦合至焊盘。根据一方面，该方法在封装层的第一表面上形成第一电介质层。根据一个方面，该方法在封装层的第二表面上形成第二电介质层。根据一方面，该方法移除基板的至少一部分。根据一个方面，该方法将第一管芯耦合至基板，其中形成封装层包括用封装层来封装第一管芯。根据一方面，形成通孔结构包括形成填充物。根据一个方面，形成通孔包括在势垒层上形成晶种层。根据一方面，形成通孔包括将通孔的一部分形成为焊盘。根据一个方面，该集成器件包括至少中介体、封装器件、和/或层叠封装(PoP)器件中的一者。根据一个方面，该集成器件被纳入在音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。附图在结合附图理解下面阐述的详细描述时，各种特征、本质和优点会变得明显，在附图中，相像的附图标记贯穿始终作相应标识。图1解说了第一封装耦合至第二封装的剖面图。图2解说了常规的层叠封装(PoP)器件。图3解说了包括侧势垒层的穿透封装通孔(TEV)的示例。图4解说了包括具有侧势垒层的穿透封装通孔(TEV)的集成器件的示例。图5(包括图5A、5B和5C)解说了用于提供/制造包括具有侧势垒层的穿透封装通孔(TEV)的集成器件的示例性序列。图6解说了包括具有侧势垒层的穿透封装通孔(TEV)的中介本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成器件，包括：封装层；穿过所述封装层的通孔结构，其中所述通孔结构包括：包括第一侧、第二侧和第三侧的通孔；以及围绕所述通孔的至少所述第一侧和所述第三侧的势垒层；直接耦合至所述通孔结构的所述势垒层的焊盘。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.02.13 US 61/939,523;2014.05.09 US 14/274,5171.一种集成器件，包括：封装层；穿过所述封装层的通孔结构，其中所述通孔结构包括：包括第一侧、第二侧和第三侧的通孔；以及围绕所述通孔的至少所述第一侧和所述第三侧的势垒层；直接耦合至所述通孔结构的所述势垒层的焊盘。2.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，进一步包括耦合至所述封装层的第一表面的第一电介质层。3.如权利要求2所述的集成器件，其特征在于，进一步包括耦合至所述封装层的第二表面的第二电介质层。4.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，进一步包括耦合至所述封装层的第一表面的基板。5.如权利要求4所述的集成器件，其特征在于，进一步包括耦合至所述基板的第一管芯，其中所述封装层封装所述第一管芯。6.如权利要求4所述的集成器件，其特征在于，所述通孔结构进一步包括填充物。7.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述通孔包括晶种层。8.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述通孔包括被配置成作为焊盘来操作的部分。9.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述集成器件包括至少中介体、封装器件、和/或层叠封装(PoP)器件中的一者。10.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述集成器件被纳入在音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。11.一种装备，包括：封装层；穿过所述封装层的通孔结构，其中所述通孔结构包括：包括第一侧、第二侧和第三侧的通孔；以及围绕所述通孔的至少所述第一侧和所述第三侧的势垒装置；以及直接耦合至所述通孔结构的所述势垒装置的焊盘。12.如权利要求11所述的装备，其特征在于，进一步包括耦合至所述封装层的第一表面的第一电介质层。13.如权利要求12所述的装备，其特征在于，进一步包括耦合至所述封装层的第二表面的第二电介质层。14.如权利要求11所述的装备，其特征在于，进一步包括耦合至所述封装层的第一表面的基板。15.如权利要求14所述的装备，其特征在于，进一步包括耦合至所述基板的第一管芯，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·S·李，H·B·蔚，D·W·金，S·顾，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US