封装结构及其中介板制造技术

一种封装结构及其中介板，该中介板包括：一封装层、以及嵌埋于该封装层中并外露于该封装层的多个导线体，以通过简易的现有打线接合方式制作该导线体，故相比于现有硅中介板的制程，本实用新型专利技术的中介板能大幅降低制作成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术有关一种封装结构，尤其是关于一种应用打线技术的封装结构及其中介板。
技术介绍
目前应用于芯片封装领域的技术繁多，例如芯片尺寸构装(Chip Scale Package，简称CSP)、芯片直接贴附封装(Direct Chip Attached，简称DCA)或多芯片模组封装(Multi－Chip Module，简称MCM)等覆晶型态的封装模组、或将芯片立体堆迭化整合为三维积体电路(3D IC)芯片堆迭技术等。图1A至图1C为现有2.5D及/或3D半导体封装件1的制法的剖面示意图。如图1A所示，提供一硅基板10’，且形成多个穿孔100a于该硅基板10’上。如图1B所示，先形成绝缘材100b于该些穿孔100a的孔壁上，并填充金属材于该些穿孔100a中，再形成一线路重布结构(Redistribution layer，简称RDL)15于该硅基板10’上，以形成具有导电硅穿孔(Through-silicon via，简称TSV)100的硅中介板(Silicon interposer)10。如图1C所示，将一半导体芯片11以其间距较小的电极垫110通过多个焊锡凸块13采用覆晶方式电性结合该导电硅穿孔100，再以底胶12包覆该些焊锡凸块13。接着，形成封装胶体16于该硅中介板10上，以覆盖该半导体芯片11。之后，于该线路重布结构15上通过多个焊球17电性结合一封装基板18之间距较大的焊垫180，并以底胶14包覆该些焊球17。然而，现有2.5D及/或3D半导体封装件1的制法中，于制作该硅中介板10时，该导电硅穿孔100的制造方法需于该硅基板10’上挖孔(即通过曝光显影蚀刻等图案化制程而形成该些穿孔100a)及金属填孔，致使整体制程的制作成本提高，且制作时间耗时(因前述步骤流程冗长，特别是蚀刻该硅基板10’以形成该些穿孔100a)，以致于最终产品的成本及价格难以降低。此外，该导电硅穿孔100的端面宽度D极大，且该导电硅穿孔100的端面是作为外接点，故当该外接点的数量增加时，该导电硅穿孔100之间的间距需缩小，因而于回焊该焊锡凸块13时，各该焊锡凸块13之间容易发生桥接(bridge)问题。因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的种种缺失，本技术提供一种中介板，包括：一封装层；以及多个导线体，其嵌埋于该封装层中，且各具有外露于该封装层的相对的球端与线端。本技术还提供一种封装结构，其包括：一封装层；至少一电子元件，其嵌埋于该封装层中；多个导线体，其嵌埋于该封装层中，且各具有外露于该封装层的相对的球端与线端；以及一线路层，其形成于该封装层上并电性连接各该导线体。前述的封装结构中，该电子元件上设有多个位于该封装层中并外露于该封装层的导电元件。例如，该导电元件包含钉状线与包覆该钉状线的焊锡凸块。前述的封装结构中，该线路层与该封装层上设有另一电子元件。前述的封装结构中，还包括设于该线路层与该封装层上的另一线路层、另一封装层与另一电子元件，其中，该另一电子元件设于该线路层与该封装层上，该另一封装层设于该线路层与该封装层上并包覆该另一电子元件，该另一线路层设于该另一封装层上。前述的封装结构及中介板中，该导线体呈钉状。前述的封装结构及中介板中，该导线体的线宽不大于300微米。由上可知，本技术的封装结构及其中介板中，通过该导线体作为导电路径，其线宽可不大于300微米，因而使各该导线体之间的距离能缩小，故相比于现有技术受限于导电硅穿孔的规格，本技术的封装结构及中介板能使各该接点之间的距离缩小，以增加接点密度，因而能缩小该封装结构(及该中介板)的面积或体积，且能增加该电子元件的电性I/O密度。此外，该导线体是以简易的现有打线接合方式制作，故相比于现有硅中介板的制程，本技术的中介板能大幅降低成本及制造周期。附图说明图1A至图1C为现有2.5D及/或3D半导体封装件的制法的剖面示意图；图2A至图2D为本技术的中介板的制法的剖视示意图；以及图3A至图3F为本技术的封装结构的制法的剖视示意图；其中，图3A’为图3A的一种实施例的局部放大图。符号说明：1 半导体封装件10 硅中介板10’ 硅基板100 导电硅穿孔100a 穿孔100b 绝缘材11 半导体芯片110,300 电极垫12,14 底胶13,31a 焊锡凸块15 线路重布结构16 封装胶体17,36 焊球18 封装基板180 焊垫2 中介板20 承载板21 离型层22 金属层23,23’ 导线体23a 球端23b 线端24,24’,24” 封装层24a 第一表面24b 第二表面3 封装结构30 第一电子元件30a 作用面30b 非作用面31,31’,31” 导电元件32 钉状线32a 头端32b 尖端33,33’ 线路层34 第二电子元件35 第三电子元件37 电性接触垫D 端面宽度d 距离t 厚度w 线宽。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本技术的其它优点及功效。须知，本说明书所附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”、“第三”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。图2A至图2D为本技术的中介板2的制法的剖视示意图。如图2A所示，提供一承载板20，并于该承载板20上依序形成一离型层21及一金属层22。于本实施例中，形成该承载板20的材质为高分子聚合物材或复合材料。具体地，形成该承载板20的材质为金属材、介电材、陶瓷材、玻璃材、半导体材、电路板材、塑胶材或、同质复合材或异质复合材，但不限于此，且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中介板，其特征为，该中介板包括：一封装层；以及多个导线体，其嵌埋于该封装层中，且各具有外露于该封装层的相对的球端与线端。

【技术特征摘要】
2016.01.29 TW 1052014161.一种中介板，其特征为，该中介板包括：一封装层；以及多个导线体，其嵌埋于该封装层中，且各具有外露于该封装层的相对的球端与线端。2.如权利要求1所述的中介板，其特征为，该导线体呈钉状。3.如权利要求1所述的中介板，其特征为，该导线体的线宽不大于300微米。4.一种封装结构，其特征为，该封装结构包括：一封装层；至少一电子元件，其嵌埋于该封装层中；多个导线体，其嵌埋于该封装层中，且各具有外露于该封装层的相对的球端与线端；以及一线路层，其形成于该封装层上并电性连接各该导线体。5.如权利要求4所述的封装结构，其特征为，该电子元件上设有...

【专利技术属性】
技术研发人员：林科鸿，颜立盛，
申请(专利权)人：群汇管理顾问有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71