半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括：刻蚀半导体基底上的第一介质层形成第一通孔，以露出所述金属栅极后，对半导体基底进行第一清洗工艺，所述第一清洗工艺以含有氩离子的气体作为清洗气体。由于氩离子具有较大的质量和能量，氩离子撞击刻蚀气体与金属反应所形成的含有金属化合物的副产物，从而有效降解这些金属副产物，去除这些金属化合物以提高介质层内的清洗效率，减小残留在第一通孔和第一介质层上的副产物的量，进而减小刻蚀第一介质层所形成的副产物对于后续形成于第一通孔内的导电插塞的影响，提高后续形成的半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
201510026426

【技术保护点】
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底内形成有金属栅极；在所述半导体基底上形成第一介质层；刻蚀所述第一介质层形成第一通孔，所述第一通孔露出所述金属栅极；形成所述第一通孔后，对所述半导体基底进行第一清洗工艺，所述第一清洗工艺以含有氩离子的气体作为清洗气体。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底内形成有金属栅极；在所述半导体基底上形成第一介质层；刻蚀所述第一介质层形成第一通孔，所述第一通孔露出所述金属栅极；形成所述第一通孔后，对所述半导体基底进行第一清洗工艺，所述第一清洗工艺以含有氩离子的气体作为清洗气体。2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一清洗工艺的条件包括：以氩气作为清洗气体，控制偏置功率为0W，氩气流量为700～900sccm，气压为180～250mtorr。3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体基底包括半导体衬底和位于所述半导体衬底上的第二介质层，所述金属栅极位于所述第二介质层内；在位于所述金属栅极两侧的半导体衬底中还形成有源极和漏极，所述源极和漏极表面形成有阻挡层：刻蚀所述第一介质层形成第一通孔的步骤还包括：同时刻蚀所述第一介质层和第二介质层，在所述第一介质层和第二介质层内形成第二通孔，所述第二通孔位于所述源极和漏极上方，且露出所述阻挡层；去除部分所述阻挡层，之后进行所述第一清洗工艺；在所述第一清洗工艺后，所述半导体器件的形成方法包括，去所述第二通孔底部剩余的阻挡层，露出所述源极或漏极。4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在去除所述第二通孔底部剩余的阻挡层后，所述半导体器件的形成方法还包括：对所述半导体基底进行所述第二清洗工艺，所述第二清洗工艺以含有氮气的气体作为清洗气体。5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二清洗工艺的条件包括：控制偏置功率为50～100W，氮气流量为200～400sccm，
\t气压为10～120mtorr。6.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述第二清洗工艺后，对所述半导体基底进行第三清洗工艺，所述第三清洗工艺以含有氩离子的气体作为清洗气体。7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第三清洗工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄敬勇，张海洋，何其暘，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31