【技术实现步骤摘要】
201521070861
【技术保护点】
一种用于原子层薄膜沉积的反应源进气装置，其特征在于，包括第一反应源进气管、第二反应源进气管和反应源分散块，所述反应源分散块底部连通有多个竖直设置的第一反应源弥散管和第二反应源弥散管，所述第一反应源弥散管和第二反应源弥散管交替设置成一排；所述第一反应源进气管通过所述反应源分散块分别与所述第一反应源弥散管连通，所述第二反应源进气管通过所述反应源分散块分别与所述第二反应源弥散管连通；所述第一反应源弥散管和第二反应源弥散管分别伸入反应腔室内，且对所述反应腔室内的硅片均匀喷洒第一反应源和第二反应源。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：潘龙，魏景峰，
申请(专利权)人：北京七星华创电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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