一种平面分离双栅薄膜晶体管制造技术

本实用新型专利技术属于半导体技术领域，公开了一种平面分离双栅薄膜晶体管。所述平面分离双栅薄膜晶体管，自下而上依次包括衬底、过渡层、栅电极层、绝缘栅介质层、半导体有源层、源电极/漏电极，所述源电极和漏电极相对设置于所述半导体有源层上方；所述栅电极层由两个栅电极组成，所述两个栅电极相对设置于过渡层的上方；所述栅电极与源电极/漏电极设置的方向不同。本实用新型专利技术调整两个栅极的偏压可使TFT器件呈现出不同的输出和转移特性；两个栅极可同时作为控制栅和信号栅使用，使电路得到简化，从而有效地拓展TFT的应用范围，有望解决阈值电压漂移、自动增益控制动态范围窄等问题。

【技术实现步骤摘要】
201521083246

【技术保护点】
一种平面分离双栅薄膜晶体管，其特征在于：自下而上依次包括衬底、过渡层、栅电极层、绝缘栅介质层、半导体有源层、源电极/漏电极，所述源电极和漏电极相对设置于所述半导体有源层上方；所述栅电极层由两个栅电极组成。

【技术特征摘要】
1.一种平面分离双栅薄膜晶体管，其特征在于：自下而上依次包括衬底、
过渡层、栅电极层、绝缘栅介质层、半导体有源层、源电极/漏电极，所述源电
极和漏电极相对设置于所述半导体有源层上方；所述栅电极层由两个栅电极组
成。
2.根据权利要求1所述平面分离双栅薄膜晶体管，其特征在于：所述两个
栅电极相对设置于过渡层的上方；所述栅电极与源电极/漏电极设置的方向不同。
3.根据权利要求2所述平面分离双栅薄膜晶体管，其特征在于：所述栅电
极方向与源电极/漏电极所形成的沟道方向垂直，所述栅电极与源电极/漏电极以
类“#”型设置。
4.根据权利要求1所述平面分离双栅薄膜晶体管，其特征在于：所述绝缘
栅介质层部分覆盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉荣，廖荣，姚若河，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：新型
国别省市：广东;44