温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型属于半导体技术领域，公开了一种平面分离双栅薄膜晶体管。所述平面分离双栅薄膜晶体管，自下而上依次包括衬底、过渡层、栅电极层、绝缘栅介质层、半导体有源层、源电极/漏电极，所述源电极和漏电极相对设置于所述半导体有源层上方；所述栅电极层由...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。