晶片加工用带制造技术

技术编号:13455948 阅读:57 留言:0更新日期:2016-08-03 01:09
本发明专利技术的课题在于提供可以减少标签痕迹的产生且可以减少在胶粘剂层与粘合膜之间卷绕空气(air)的晶片加工用带。其特征在于,具有:长的脱模膜(11);胶粘剂层(12),设置在脱模膜(11)的第1面上、且具有规定的平面形状;粘合膜(13),具有标签部(13a)和包围标签部(13a)的外侧的周边部(13b),标签部(13a)以覆盖胶粘剂层(12)、且在胶粘剂层(12)的周围与脱模膜(11)接触的方式设置,并且具有规定的平面形状;以及支承构件(14),设置在脱模膜(11)的与第1面相反的第2面上,且在比胶粘剂层(12)的在脱模膜(11)的短边方向上的端部更靠外侧的一个区域中、沿脱模膜(11)的短边方向设置有多个。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片加工用带,特别是涉及具有芯片切割带和芯片接合膜的2个功能的晶片加工用带。
技术介绍
最近,正在开发一种芯片切割-芯片接合带,其兼具将半导体晶片切断分离(芯片切割)为各个芯片时用于固定半导体晶片的芯片切割带、和用于将切断后的半导体芯片粘接于引线框或封装基板等、或者在堆叠封装中用于将半导体芯片彼此层叠、粘接的芯片接合膜(也称为芯片贴装膜)的2个功能。作为这样的芯片切割-芯片接合带,考虑到向晶片的贴附、芯片切割时的向贴片环框的安装等的操作性,有时实施了预切割加工。在图4和图5中示出预切割加工后的芯片切割-芯片接合带的例子。图4是表示将芯片切割-芯片接合带卷绕为卷筒状的状态的图,图5(a)是芯片切割-芯片接合带的俯视图,图5(b)是基于图5(a)的线B-B的剖面图。芯片切割-芯片接合带50包含脱模膜51、胶粘剂层52和粘合膜53。胶粘剂层52加工为与晶片的形状对应的圆形,具有圆形标签形状。粘合膜53中除去了与芯片切割用的贴片环框的形状对应的圆形部分的周边区域,如图所示,具有圆形标签部53a和包围其外侧的周边部53b。胶粘剂层52与粘合膜53的圆形标签部53a以将其中心对齐的方式层叠,另外,粘合膜53的圆形标签部53a覆盖胶粘剂层52且在其周围与脱模膜51接触。将晶片芯片切割时,从层叠状态的胶粘剂层52和粘合膜53剥离脱模膜51,如图6所示,在胶粘剂层52上贴附半导体晶片W的背面,在粘合膜53的圆形标签部53a的外周部粘合固定芯片切割用贴片环框R。在该状态下将半导体晶片W芯片切割,之后,对粘合膜53实施紫外线照射等固化处理后拾取半导体芯片。此时,粘合膜53由于固化处理而粘合力降低,因此容易从胶粘剂层52剥离,在背面附着了胶粘剂层52的状态下拾取半导体芯片。附着于半导体芯片的背面的胶粘剂层52在之后将半导体芯片粘接于引线框、封装基板、或其他半导体芯片时,作为芯片接合膜起作用。另外,就像上述那样的芯片切割-芯片接合带50而言,胶粘剂层52与粘合膜53的圆形标签部53a层叠的部分比粘合膜53的周边部53b厚。因此,作为制品卷绕成卷筒状时,胶粘剂层52与粘合膜53的圆形标签部53a的层叠部分、与粘合膜53的周边部53a的高度差相互重叠,发生在柔软的胶粘剂层52表面转印高度差的现象,即图7所示的那样的转印痕(也称为标签痕迹、皱纹、或卷绕痕迹)。这样的转印痕的产生特别是在胶粘剂层52由柔软的树脂形成的情况、存在厚度的情况和带50的卷绕数多的情况等显著。然后,若产生转印痕,则存在由胶粘剂层与半导体晶片的粘接不良导致在晶片的加工时产生不良情况的可能性。为了解决这样的问题,正在开发一种晶片加工用带,其为脱模膜的与设置了胶粘剂层和粘合膜的第1面相反的第2面上、且在脱模膜的短边方向的两端部设置了支承构件(例如,参照专利文献1)。这样的晶片加工用带设置了支承构件,因此在将晶片加工用带卷绕为卷筒状时,可以将对带施加的卷绕压力分散、或集中于支承构件,因此,可以抑制向胶粘剂层的转印跡的形成。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利第4360653号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题粘合膜覆盖胶粘剂层且在其周围与脱模膜接触,但根据胶粘剂层的厚度,有时在脱模膜与粘合膜之间产生极小的空隙、残留空气(air)。上述专利文献1中记载的晶片加工用带在脱模膜的短边方向两端部设置了支承构件。因此,在将晶片加工用带卷绕为卷筒状的状态中,标签部与在其上卷绕的脱模膜之间成为中空结构,支承构件为了防止标签痕迹需要设置为较大的宽度,出现了存在上述空气(air)不能向标签部的外侧移动、侵入胶粘剂层与粘合膜之间的可能性的问题。在胶粘剂层与粘合膜之间侵入的空气(air)也称为孔隙,存在产生对半导体晶片W的贴合不良、造成之后的半导体晶片W的芯片切割工序或芯片的拾取工序、接合工序的成品率的降低的可能性。因此,本专利技术的课题在于提供可以减少标签痕迹的产生、且减少在胶粘剂层与粘合膜之间卷绕空气(air)的晶片加工用带。解决课题的方法为了解决以上的课题,本专利技术所涉及的晶片加工用带的特征在于具有:长的脱模膜;胶粘剂层,设置在所述脱模膜的第1面上、且具有规定的平面形状;粘合膜,具有标签部和包围所述标签部的外侧的周边部,所述标签部以覆盖所述胶粘剂层、且在所述胶粘剂层的周围与所述脱模膜接触的方式设置,并且具有规定的平面形状;以及支承构件,设置在所述脱模膜的与设置有所述胶粘剂层和所述粘合膜的第1面相反的第2面上,且在比所述胶粘剂层的在所述脱模膜的短边方向上的端部更靠外侧的一个区域中、沿所述脱模膜的短边方向设置有多个。上述半导体加工用带优选在所述一个区域中设置的所述支承构件中,靠近所述粘接层的一侧的厚度最厚。另外,上述半导体加工用带优选上述支承构件的各自的宽度为10~15mm、设置于上述一个区域中的上述支承构件之间的间隔为5mm以上。专利技术效果根据本专利技术,可以减少标签痕迹的产生、且减少在胶粘剂层与粘合膜之间卷绕空气(air)。附图说明图1的(a)是本专利技术的实施方式所涉及的晶片加工用带的俯视图,(b)是(a)的基于线A-A的剖面图。图2是本专利技术的另一实施方式所涉及的晶片加工用带的剖面图。图3是本专利技术的进一步另一实施方式所涉及的晶片加工用带的剖面图。图4是以往的晶片加工用带的立体图。图5的(a)为以往的晶片加工用带的俯视图,(b)为(a)的基于线B-B的剖面图。图6为显示晶片加工用带与芯片切割用贴片环框贴合的状态的剖面图。图7为用于说明以往的晶片加工用带的不良情况的示意图。具体实施方式以下基于附图对本专利技术的实施方式详细地说明。图1(a)是本专利技术的实施方式所涉及的晶片加工用带(芯片切割-芯片接合带)的俯视图,图1(b)是图1(a)的基于线A-A的剖面图。如图1(a)和图1(b)所示,晶片加工用带10具有长的脱模膜11、胶粘剂层12、粘合膜13和支承构件14。胶粘剂层12设置于脱模膜的第1面上,具有与晶片的形状对应的圆形标签形状。粘合膜13具有圆形标签部13a和包围该圆形标签部13a的外侧的周边部13b,所述圆形标签部13a以覆盖胶粘剂层12、且在胶粘剂层12的周围与脱模膜接触的方式设置。周边部13b包括将圆形标签部13a的外侧完全包围的形态、和如图所示的不完全包围的形本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种晶片加工用带,其特征在于,具有:长的脱模膜,胶粘剂层,在所述脱模膜的第1面上设置、且具有规定的平面形状,粘合膜,具有标签部和包围所述标签部的外侧的周边部,所述标签部以覆盖所述胶粘剂层、且在所述胶粘剂层的周围与所述脱模膜接触的方式设置,并且具有规定的平面形状,以及,支承构件,设置在所述脱模膜的与设置有所述胶粘剂层和粘合膜的第1面相反的第2面上,且在比所述胶粘剂层的在所述脱模膜的短边方向上的端部更靠外侧的一个区域中、沿所述脱模膜的短边方向设置有多个。

【技术特征摘要】
2014.12.04 JP 2014-2463151.一种晶片加工用带,其特征在于,具有:
长的脱模膜,
胶粘剂层,在所述脱模膜的第1面上设置、且具有规定的平面形状,
粘合膜,具有标签部和包围所述标签部的外侧的周边部,所述标签部
以覆盖所述胶粘剂层、且在所述胶粘剂层的周围与所述脱模膜接触的方式
设置,并且具有规定的平面形状,以及,
支承构件,设置在所述脱模膜的与设置有所述胶粘剂层和粘合膜...

【专利技术属性】
技术研发人员:杉山二朗青山真沙美佐久间登大田乡史木村和宽
申请(专利权)人:古河电气工业株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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