【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种具有高出光效率的LED芯片，该芯片从下至上依次包括：导电基板、键合金属层、反射镜保护层、反射镜金属层、P型GaN层、多量子阱层、N型GaN层、N电极，其特征在于，该芯片还包括透明绝缘层，所述透明绝缘层位于反射镜保护层和键合金属层之间，其边界包围了所述P型GaN层的边界。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：封波，
申请(专利权)人：晶能光电江西有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36
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