一种MOS管驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MOS管驱动电路，所述的电路包括驱动芯片U1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一三极管Q1、第二三极管Q2和MOS管Q3，所述第一三极管Q1的第1脚B通过所述第一电阻R1连接到所述驱动芯片U1的驱动脚DRV，所述第一三极管Q1的第2脚E通过所述第三电阻R3连接到所述MOS管Q3的第3脚G，所述第一三极管Q1的第3脚C通过所述第二电阻R2连接到供电输入脚VCC。本实用新型专利技术电路结构简单，实现了对MOS管开通和关断分别进行调整，使MOS管开关损耗、MOS管温升和EMC做到了较好的平衡。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子元件的应用，具体涉及一种MOS管驱动电路。
技术介绍
在作为大功率开关管应用时，由于MOS管具有容性输入特性，在MOS管的输入端，等于是增加了一个小电容C，如图1所示，C是MOS管栅极端的等效输入电容，R是MOS管栅极端的等效输入电阻。MOS管的开通和关断，实际上是对输入电容C进行反复充放电的过程。充放电的时间不仅延迟了MOS管的开通和关断时间，而且增加了功率损耗，导致MOS管发热增加。在充放电的过程中，由于输入电容C的积分作用，即使输入的驱动信号是标准的方波信号A，实际上加到MOS管栅极的驱动波形也会产生如图1中B的畸变，使MOS管的导通和关闭产生了滞后，开关过程变慢，开关损耗增大，MOS管温度升高。只要在MOS管栅极注入和抽出的电流足够大，就能使输入电容C的电压在极短的时间内快速上升和下降到期望的电压值，这样MOS管就能迅速的开通和截止，从而减少MOS管在开关过程中的功率损耗，减小MOS管温升。
技术实现思路
本技术克服了现有技术的不足，提供一种MOS管驱动电路。考虑到现有技术的上述问题，根据本技术公开的一个方面，本实用新型采用以下技术方案：一种MOS管驱动电路，所述的电路包括驱动芯片、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一三极管、第二三极管和MOS管，所述第一三极管的第1脚通过所述第一电阻连接到所述驱动芯片的驱动脚，所述第一三极管的第2脚通过所述第三电阻连接到所述MOS管的第3脚，所述第一三极管的第3脚通过所述第二电阻连接到供电输入脚。为了更好地实现本技术，进一步的技术方案是：根据本技术的一个实施方案，所述第二三极管的第1脚通过所述第一电阻连接到所述驱动芯片的驱动脚，所述第二三极管的第2脚连接到所述驱动芯片的接地脚，所述第二三极管的第3脚通过所述第四电阻连接到所述MOS管的第3脚。更进一步的技术方案：所述驱动芯片的接地脚连接到地。更进一步的技术方案：所述MOS管的第2脚连接到电压输出端。更进一步的技术方案：所述MOS管的第1脚通过所述第五电阻连接到所述驱动芯片的接地脚。与现有技术相比，本技术的有益效果之一是：本技术采用的电路结构简单，解决了以往驱动电路中只能同时改变驱动波形中开通上升沿和关断下降沿，进而同时加快或延缓MOS管的开通和关断，很难在MOS管开关损耗、MOS管温升和EMC之间找到很好的平衡的难题，从而实现了对MOS管开通和关断分别进行调整，使MOS管开关损耗、MOS管温升和EMC做到了较好的平衡。附图说明为了更清楚的说明本申请文件实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术的描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是对本申请文件中一些实施例的参考，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的情况下，还可以根据这些附图得到其它的附图。图1为一种现有的MOS管驱动等效电路及波形图。图2示出了根据本技术一个实施例的MOS管驱动电路图。图3为图2中的MOS管开通等效电路及波形图。图4为图2中的MOS管关闭等效电路及波形图。具体实施方式下面结合实施例对本技术作进一步地详细说明，但本技术的实施方式不限于此。如图2所示，一种MOS管驱动电路，根据本技术的一个实施例，所述的电路包括驱动芯片U1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一三极管Q1、第二三极管Q2和MOS管Q3，所述第一三极管Q1的第1脚B通过所述第一电阻R1连接到所述驱动芯片U1的驱动脚DRV，所述第一三极管Q1的第2脚E通过所述第三电阻R3连接到所述MOS管Q3的第3脚G，所述第一三极管Q1的第3脚C通过所述第二电阻R2连接到供电输入脚VCC。根据本技术的另一个实施例，所述第二三极管Q2的第1脚B通过所述第一电阻R1连接到所述驱动芯片U1的驱动脚DRV，所述第二三极管Q2的第2脚E连接到所述驱动芯片U1的接地脚GND，所述第二三极管Q2的第3脚C通过所述第四电阻R4连接到所述MOS管Q3的第3脚G。根据本技术的另一个实施例，所述驱动芯片U1的接地脚GND连接到地。根据本技术的另一个实施例，所述MOS管Q3的第2脚D连接到电压输出端VBUS。根据本技术的另一个实施例，所述MOS管Q3的第1脚S通过所述第五电阻R5连接到所述驱动芯片U1的接地脚GND。专利技术人在具体实施本技术时，优选地，第一三极管Q1采用NPN三极管，第二三极管采用PNP三极管。如图3所示，当驱动芯片U1发出的驱动波形正半周来到时，NPN三极管Q1导通，PNP三极管Q2截止，VCC经过三极管Q1对MOS管Q3的栅极充电。电阻R3的大小决定了驱动波形中开通上升沿的快慢，电阻R3越大，驱动波形上升沿越缓，MOS管开通损耗越大，MOS管温升越高，EMC效果越好；反之，电阻R3越小，驱动波形上升沿越陡，MOS管开通损耗越小，MOS管温升越低，EMC效果越差。如图4所示，当驱动芯片U1发出的驱动波形负半周来到时，NPN三极管Q1截止，PNP三极管Q2导通，MOS管Q3的栅极所充电荷经过三极管Q2迅速放电。电阻R4的大小决定了驱动波形中关断下降沿的快慢，电阻R4越大，驱动波形下降沿越缓，MOS管关断损耗越大，MOS管温升越高，EMC效果越好；反之，电阻R4越小，驱动波形下降沿越陡，MOS管关断损耗越小，MOS管温升越低，EMC效果越差。本技术通过采用上述简单的电路结构，解决了以往驱动电路中只能同时改变驱动波形中开通上升沿和关断下降沿，进而同时加快或延缓MOS管的开通和关断，很难在MOS管开关损耗、MOS管温升和EMC之间找到很好的平衡的难题，从而实现了对MOS管开通和关断分别进行调整，使MOS管开关损耗、MOS管温升和EMC做到了较好的平衡。本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。除上述以外，还需要说明的是，在本说明书中所谈到的“一个实施例”、“另一个实施例”、“实施例”等，指的是结合该实施例描述的具体特征、结构或者特点包括在本申请概括性描述的至少一个实施例中。在说明书中多个地方出现同种表述不是一定指的是同一个实施例。进一步来说，结合任一实施例描述一个具体特征、结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOS管驱动电路，所述的电路包括驱动芯片(U1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)和MOS管(Q3)，其特征在于：所述第一三极管(Q1)的第1脚(B)通过所述第一电阻(R1)连接到所述驱动芯片(U1)的驱动脚(DRV)，所述第一三极管(Q1)的第2脚(E)通过所述第三电阻(R3)连接到所述MOS管(Q3)的第3脚(G)，所述第一三极管(Q1)的第3脚(C)通过所述第二电阻(R2)连接到供电输入脚(VCC)。

【技术特征摘要】
1.一种MOS管驱动电路，所述的电路包括驱动芯片(U1)、第一电阻(R1)、
第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第一三
极管(Q1)、第二三极管(Q2)和MOS管(Q3)，其特征在于：所述第一三
极管(Q1)的第1脚(B)通过所述第一电阻(R1)连接到所述驱动芯片(U1)
的驱动脚(DRV)，所述第一三极管(Q1)的第2脚(E)通过所述第三电阻
(R3)连接到所述MOS管(Q3)的第3脚(G)，所述第一三极管(Q1)的
第3脚(C)通过所述第二电阻(R2)连接到供电输入脚(VCC)。
2.根据权利要求1所述的MOS管驱动电路，其特征在于：所述第二三极
管(Q2)的第1脚(B)通过所述第一电阻(R1)连接到...

【专利技术属性】
技术研发人员：李永俊，
申请(专利权)人：四川长虹电器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51