一种用于高压变频器驱动电路测试的IGBT管模拟装置制造方法及图纸

一种用于高压变频器驱动电路测试的IGBT管模拟装置，涉及一种高压变频器驱动电路的测试装置。目前对高压变频器进行驱动电路测试时，麻烦，成本高，且有一定危险性。本实用新型专利技术特征在于：包括MOSFET管、与MOSFET管串联的滑动电位器。本技术方案体积小，重量轻，结构简单，使用方便，在测试时该IGBT管模拟装置不仅能利用小型功率器件取代IGBT管来对驱动电路进行测试，且能模拟出通过IGBT管的电流，更能方便的调节模拟电流的大小来进行过流保护等功能的测试。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于高压变频器
，涉及一种高压变频器IGBT管驱动电路的测试装置。
技术介绍
目前，国内高压变频器生产厂家所采用的绝缘栅双极型晶体管(IGBT管)因耐压、电流等关键技术参数选择方面的需要，其体积、重量均较大，IGBT管本身昂贵且极容易被静电击穿导致功能失效，且其大多数为国外IGBT管生产厂家为工业应用制定的固定形状，不能灵活变动，不方便测试。许多厂家为怕损坏IGBT管一般采取信任供应商的态度，认为进口的功率器件性能都比较好，不予以测试而直接使用，但是在研发驱动电路的过程中又必须使用相应的IGBT管进行测试，如此国内一些高压变频器生产厂家在研制中进行驱动电路测试时，得额外使用IGBT管做成测试工装或不断的奔走于高压变频器功率单元和试验台之间，这就增加了研发工作的繁琐性，提高了研发成本。且测试驱动电路过流保护性能时需要加极高的电压，有一定危险性。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题和提出的技术任务是对现有技术方案进行完善与改进，提供一种用于高压变频器驱动电路测试的IGBT管模拟装置，以使IGBT管驱动电路测试简单有效且安全的进行目的。为此，本技术采取以下技术方案。一种用于高压变频器驱动电路测试的IGBT管模拟装置，其特征在于包括MOSFET管、与MOSFET管串联的滑动电位器。本技术方案体积小，重量轻，结构简单，使用方便，在测试时该IGBT管模拟装置不仅能利用小型功率器件取代IGBT管来对驱动电路进行测试，且能模拟出通过IGBT管的电流，更能方便的调节模拟电流的大小来进行过流保护等功能的测试。作为对上述技术方案的进一步完善和补充，本技术还包括以下附加技术特征。MOSFET管的栅极、源极、对应于IGBT管的栅极和发射极接到驱动电路上，MOSFET管的漏极与滑动电位器的一端连接，滑动电位器的另一端对应于IGBT管的集电极接到驱动电路上。IGBT管在完全导通后其内阻基本保持不变大约为18mΩ，当流过IGBT管的电流变动时IGBT管的导通压降也随着变动，且基本上呈线性变化，而高压变频器一般是采用检测IGBT管导通压降来判断流过IGBT管电流大小的，并根据导通压降大小来设置功率单元的过流保护点。根据上述原理，本技术用一只驱动电压较低的MOSFET管取代IGBT管，使MOSFET管的栅极、源极对应于IGBT管的栅极和发射极接到驱动电路上，并在MOSFET管的漏极串联一只精密滑动电位器，滑动电位器的另外一端接到驱动电路对应于IGBT管的集电极端，电位器的调节端可随意与MOSFET管漏极或驱动电路相连，由于该MOSFET管导通内阻也18m Ω左右，这样可让驱动电路认为已经检测到IGBT管，并输出驱动信号，从而对整个驱动电路进行检测；通过改变滑动电位器阻值来改变驱动电路漏极点分压来模拟实际应用中IGBT管的导通压降的变化，实现对驱动电路中电流检测、保护部分电路测试目的。MOSFET管的导通内阻为18m Ω。有益效果本技术方案体积小，重量轻，结构简单，使用方便，在测试时该IGBT管模拟装置不仅能利用小型功率器件取代IGBT管来对驱动电路进行测试，且能模拟出通过IGBT管的电流，更能方便的调节模拟电流的大小来进行过流保护等功能的测试。附图说明图I是现有高压变频器用IGBT管驱动原理图。 图2是本技术的驱动电路测试原理图。图中，I、IGBT管;2、滑动电位器；3、MOSFET管；4、IGBT管模拟装置。具体实施方式以下结合说明书附图对本技术的技术方案做进一步的详细说明。现有高压变频器用IGBT管驱动原理，如图I所示，驱动电路设有两个IGBT管I，当在IGBT管I的集电极C和发射极E两端流过大电流时，IGBT管的集电极C和发射极E两端压降Vra为此IGBT管I的导通压降，因为IGBT管I导通内阻基本固定，因此，根据VCE的大小就可以得出流过IGBT管I的电流大小，驱动电路通过监测Vce来确定变频器的工作状态，适当采取保护动作。本技术如图2所示，IGBT管模拟装置4包括MOSFET管3、与MOSFET管3串联的滑动电位器2。MOSFET管3的栅极G、源极S、对应于IGBT管3的栅极G和发射极E接到驱动电路上，MOSFET管3的漏极D与滑动电位器2的一端连接，滑动电位器2的另一端对应于IGBT管I的集电极C接到驱动电路上。MOSFET管3的导通内阻为18m Ω。IGBT管I在完全导通后其内阻基本保持不变大约为18πιΩ，当流过IGBT管I的电流变动时IGBT管I的导通压降也随着变动，且基本上呈线性变化，而高压变频器一般是采用检测IGBT管I导通压降来判断流过IGBT管I电流大小的，并根据导通压降大小来设置功率单元的过流保护点。根据上述原理，本技术用一只驱动电压较低的MOSFET管3取代IGBT管1，使MOSFET管3的栅极G、源极S对应于IGBT管I的栅极G和发射极E接到驱动电路上，并在MOSFET管的漏极串联一只精密滑动电位器2，滑动电位器2的另外一端接到驱动电路对应于IGBT管I的集电极C端，滑动电位器2的调节端可随意与MOSFET管3漏极D或驱动电路相连，由于该MOSFET管3导通内阻也18m Ω左右，这样可让驱动电路认为已经检测到IGBT管1，并输出驱动信号，从而对整个驱动电路进行检测；通过改变滑动电位器2阻值来改变驱动电路漏极点分压来模拟实际应用中IGBT管I的导通压降的变化，实现对驱动电路中电流检测、保护部分电路测试目的。以上图2所示的一种用于高压变频器驱动电路测试的IGBT管模拟装置是本技术的具体实施例，已经体现出本技术实质性特点和进步，可根据实际的使用需要，在本技术的启示下，对其进行形状、结构等方面的等同修改，均在本方案的保护范围之列。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于高压变频器驱动电路测试的IGBT管模拟装置，其特征在于包括MOSFET管(3)、与MOSFET管(3)串联的滑动电位器(2)。2.根据权利要求I所述的一种用于高压变频器驱动电路测试的IGBT管模拟装置，其特征在于=MOSFET管(3)的栅极(G)、源极(S)、对应于IGBT管(I)的栅极(...

【专利技术属性】
技术研发人员：李长龙，冯芬，
申请(专利权)人：卧龙电气集团股份有限公司，卧龙电气集团杭州研究院有限公司，
类型：实用新型
国别省市：