一种MOS管驱动电路制造技术

本发明专利技术涉及LED电源开关电路领域，特别涉及一种MOS管驱动电路，包括灌流电路；还包括二极管、充电限流电阻、第一电阻、MOS管；所述灌流电路的输出端同时连接所述二极管和所述充电限流电阻的一端；所述二极管的另一端连接所述第一电阻的一端；所述MOS管的栅极同时连接所述充电限流电阻和所述第一电阻的另一端。应用本实施例技术方案，在充电限流电阻上并联一个放电通路。该放电通路在MOS管放电时导通，在MOS管充电时反偏截止，防止了充电限流电阻影响MOS管的放电速率，保证了MOS管开关速率，提高了MOS管工作的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
—种MOS管驱动电路本专利技术涉及LED电源开关电路领域，特别涉及一种MOS管驱动电路。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor, MOSFET),简称金氧半场效晶体管、MOS管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管(NM0SFET)与P型金氧半场效晶体管(PM0SFET)。在现有的MOS管制造工艺上，MOS管栅极的引线的电流容量具有一定的限度，在灌流电路饱和导通时，内部VCC电源对MOS管栅极的瞬时充电会产生较大的电流，极易损坏MOS管的输入端。由于上述问题的存在，本领域人员为了避免MOS管的损坏，在具体的电路中通常在栅极充电的电路中串连适当的充电限流电阻，以达到限制瞬时充电的电流值的目的。本专利技术人在经过仔细研究和验证下，发现现有的电路保护措施具有以下缺陷: 现有的MOS管制造工艺上采用的充电限流电阻电阻值较大时，MOS管的栅-源极电压上升速率较慢本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOS管驱动电路，包括灌流电路，其特征在于：还包括二极管、充电限流电阻、第一电阻、MOS管;所述灌流电路的输出端同时连接所述二极管和所述充电限流电阻的一端；所述二极管的另一端连接所述第一电阻的一端；所述MOS管的栅极同时连接所述充电限流电阻和所述第一电阻的另一端。

【技术特征摘要】
1.一种MOS管驱动电路，包括灌流电路，其特征在于:还包括二极管、充电限流电阻、第一电阻、MOS管；所述灌流电路的输出端同时连接所述二极管和所述充电限流电阻的一端；所述二极管的另一端连接所述第一电阻的一端；所述MOS管的栅极同时连接所述充电限流电阻和所述第一电阻的另一端。2.根据权利要求2所述的一种MOS管驱动电路，其特征在于:还包括第二电阻；所述第二电阻的一端连接所述MOS管的栅极，另一端连接所述MOS管...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗中良，王戎伟，
申请(专利权)人：惠州市经典照明电器有限公司，
类型：发明
国别省市：