【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种Ｎ型沟道ＭＯＳ管驱动电路，其特征在于，包括：被驱动的ＭＯＳ管的漏极连接系统电源正端；负载跨接在被驱动ＭＯＳ管的源极与电源地之间；被驱动的ＭＯＳ管的栅极连接到一个电容Ｃ１，所述电容Ｃ１连接到可控开关，受可控开关控制；所述电容Ｃ１通过电容的自举作用构成独立于系统电源的悬浮电源；当可控开关闭合后，电容Ｃ１通过其所连接的电阻Ｒ１、被驱动ＭＯＳ管的栅源结电容，形成了一个放电回路，同时被驱动ＭＯＳ管的栅源结电容被充电，形成开启被驱动ＭＯＳ管所需的电压偏置；当可控开关开路时，电源通过二极管Ｄ１、电容Ｃ１以及电阻Ｒ４与负载的并联体，形成充电回路，给电容Ｃ１补充电荷。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张毅，罗来军，黄东亚，
申请(专利权)人：联创汽车电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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