【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及MOS管检测电路的
，特别是涉及MOS管参数退化的检测电路。
技术介绍
随着超大规模集成电路制造技术向纳米方向发展，器件的尺寸特征尺寸越来越小，然而其正常工作电压并没有随之等比例降低，导致器件沟道内部的局部电场越来越大。沟道中的载流子在强电场中容易获得较大的能量从而形成热载流子。热载流子的能量较高，而且它们存在于器件沟道中，容易穿越界面势垒，注入到栅氧化层，被栅氧化层中的电荷陷阱俘获或者在Si-SiO2界面产生界面态，从而引起器件有关参数发生变化，如阈值电压、跨导以及饱和区漏极电流等参数。当因栅氧化层积累电荷导致阈值电压和跨导退化超过一定限值时，将会导致器件的失效。热载流子注入效应(HotCarriersInjection，HCI)是影响器件性能参数的重要因素，是导致器件失效率较高的失效机理之一。为了能够提前预测芯片由于HCI效应导致的MOS管参数退化问题，需要开展可靠性预测工作。传统的可靠性预测技术由于无法预测芯片所处环境和工作情况，已经不能适应现代超大规模集成(ULSI)电路系统的需要，急待探索新的可靠性预测技术手段。
技术实现思路
基于此，有必要针对由于HCI效应导致的MOS管参数退化的问题，提供一种MOS管参数退化的检测电路。一种MOS管参数退化的检测电路，包括应力测试电路、标准时钟输入电路、采样电路、采样计数器、时钟计数器和处理器；应力测试电路、标准时钟输...
【技术保护点】
一种MOS管参数退化的检测电路，其特征在于，包括应力测试电路、标准时钟输入电路、采样电路、采样计数器、时钟计数器和处理器；所述应力测试电路、所述标准时钟输入电路分别与所述采样电路连接，所述采样电路和所述采样计数器连接，所述采样计数器与所述处理器连接；所述标准时钟输入电路还与所述时钟计数器连接，所述时钟计数器与所述处理器连接；所述应力测试电路包括MOS管，所述应力测试电路输出表征所述MOS管参数的测试信号，所述采样电路对所述测试信号进行采样，获取采样数据，所述采样计数器对所述采样数据进行计数，获取采样数据计数值；所述标准时钟输入电路为所述采样电路和所述时钟计数器提供时钟信号，所述时钟计数器对提供给所述时钟计数器的时钟信号进行计数，获取时钟信号计数值，所述处理器根据所述采样数据计数值和所述时钟信号计数值获取MOS管参数退化的检测值。
【技术特征摘要】
1.一种MOS管参数退化的检测电路，其特征在于，包括应力测试电路、
标准时钟输入电路、采样电路、采样计数器、时钟计数器和处理器；
所述应力测试电路、所述标准时钟输入电路分别与所述采样电路连接，所
述采样电路和所述采样计数器连接，所述采样计数器与所述处理器连接；所述
标准时钟输入电路还与所述时钟计数器连接，所述时钟计数器与所述处理器连
接；
所述应力测试电路包括MOS管，所述应力测试电路输出表征所述MOS管
参数的测试信号，所述采样电路对所述测试信号进行采样，获取采样数据，所
述采样计数器对所述采样数据进行计数，获取采样数据计数值；所述标准时钟
输入电路为所述采样电路和所述时钟计数器提供时钟信号，所述时钟计数器对
提供给所述时钟计数器的时钟信号进行计数，获取时钟信号计数值，所述处理
器根据所述采样数据计数值和所述时钟信号计数值获取MOS管参数退化的检测
值。
2.根据权利要求1所述的MOS管参数退化的检测电路，其特征在于，还
包括控制器；所述应力测试电路包括振荡器，所述振荡器中包括所述MOS管；
所述振荡器的使能端与所述控制器的第一输出端连接，所述振荡器的输出端与
所述采样电路的输入端连接；
所述振荡器的使能端接收到所述控制器通过所述第一输出端输出的第一使
能信号时，所述振荡器输出表征所述MOS管参数的振荡信号。
3.根据权利要求1所述的MOS管参数退化的检测电路，其特征在于，所
述标准时钟输入电路输出的是所述检测电路外部的标准时钟信号或者所述检测
电路所在芯片的内部时钟信号。
4.根据权利要求1所述的MOS管参数退化的检测电路，其特征在于，所
述采样电路包括第一触发器、第二触发器、反相器和与门电路；
所述第一触发器的数据信号输入端接收所述测试信号，所述第一触发器的
输出端与所述第二触发器的数据信号输入端连接，所述第二触发器的输出端与
所述反相器的输入端连接，所述第一触发器的输出端和所述反相器的输出端分
别与所述与门电路的两个输入端连接，所述与门电路的输出端与所述采样计数
\t器的输入端连接；所述标准时钟输入电路的输出端分别与所述第一触发器的时
钟信号输入端和所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷登云，陈义强，侯波，何春华，黄云，恩云飞，
申请(专利权)人：工业和信息化部电子第五研究所，
类型：发明
国别省市：广东;44
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