用于偏置射频开关的装置和方法制造方法及图纸

本文提供了用于偏置射频(RF)开关的装置和方法。在一些实现中，RF开关电路包括自适应开关偏置电路，其控制一个或多个场效应晶体管(FET)开关的栅极电压和/或沟道电压。另外，自适应开关偏置电路由高功率电源电压和低功率电源电压供电，并且能够用来基于一个或多个开关启用信号的状态来选择性地接通或关断FET开关。自适应开关偏置电路基于高功率电源电压和低功率电源电压之间的电压差来自适应地偏置FET开关的栅极电压和/或沟道电压以提供适合于两种以上不同的电源电压电平的开关偏置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方案涉及电子系统，更特别地涉及射频开关的偏置。
技术介绍
射频(RF)系统可以包括用于各种用途的RF开关。在一个实施例中，诸如移动设备或基站的RF系统可以包括利用RF开关实现的天线开关模块(ASM)。另外，天线开关模块能够用来将天线与系统的特定的发送或接收路径电连接，从而允许多个部件访问天线。在另一实施例中，RF系统可以包括数字步进衰减器(DSA)，DSA可以包括接通或关断以控制由DSA提供的衰减量的RF开关。
技术实现思路
在一个方案中，一种射频(RF)开关电路包括:一个或多个场效应晶体管(FET)开关，包括第一 FET开关；以及自适应开关偏置电路，其构造为控制第一 FET开关的栅极电压和沟道电压。自适应开关偏置电路构造为接收开关启用信号。另外，自适应开关偏置电路构造为:当开关启用信号处于第一状态时，通过接通电压来偏置第一 FET开关以接通第一FET开关，而当开关启用信号处于第二状态时，通过关断电压来偏置第一 FET开关以关断第一 FET开关。自适应开关偏置电路构造为由高功率电源电压和低功率电源电压供电。自适应开关偏置电路构造为基于高功率电源电压和低功率电本文档来自技高网...

【技术保护点】
射频(RF)开关电路，包括：一个或多个场效应晶体管(FET)开关，其包括第一FET开关；以及自适应开关偏置电路，其构造为控制所述第一FET开关的栅极电压和沟道电压，其中所述自适应开关偏置电路构造为接收开关启用信号，其中所述自适应开关偏置电路构造为当所述开关启用信号处于第一状态时通过接通电压偏置所述第一FET开关以接通所述第一FET开关，并且其中，所述自适应开关偏置电路构造为当所述开关启用信号处于第二状态时通过关断电压偏置所述第一FET开关以关断所述第一FET开关，其中所述自适应开关偏置电路构造为由高功率电源电压和低功率电源电压来供电，并且其中，所述自适应开关偏置电路构造为基于所述高功率电源电压...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：T·考库格鲁，B·T·卡维斯，Y·A·阿特萨尔，
申请(专利权)人：亚德诺半导体集团，
类型：发明
国别省市：百慕大群岛;BM