半导体器件制造方法技术

一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠结构以及第一栅极侧墙；在第一栅极侧墙两侧外延生长形成抬升区；执行第一离子注入，对抬升区和/或衬底进行掺杂，形成轻掺杂源漏区；在第一栅极侧墙两侧的抬升区上形成第二栅极侧墙；执行第二离子注入，对抬升区和/或衬底进行掺杂，形成重掺杂源漏区；完成后续工艺，形成接触互连。依照本发明专利技术的半导体器件制造方法，在衬底上外延生长抬升源漏区之后再进行轻掺杂离子注入，能够提高抬升源漏区的外延生长质量并且减缓小尺寸器件的短沟道效应，提高了器件性能和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种鳍片场效应晶体管(FinFET)的制造方法。
技术介绍
当前通过单一缩减特征尺寸来降低成本的方法已经遇到了瓶颈，特别是当特征尺寸降至150nm以下时，很多物理参数不能按比例变化，例如硅禁带宽度Eg、费米势(j)F、界面态及氧化层电荷Qox、热电势Vt以及pn结自建势等等，这些将影响按比例缩小的器件性能。近30年来，半导体器件一直按照摩尔定律等比例缩小，半导体集成电路的特征尺寸不断缩小，集成度不断提高。随着技术节点进入深亚微米领域，例如lOOnm以内，甚至45nm以内，传统场效应晶体管(FET)，也即平面FET，开始遭遇各种基本物理定律的限制，使其等比例缩小的前景受到挑战。众多新型结构的FET被开发出来，以应对现实的需求，其中，FinFET就是一种很具等比例缩小潜力的新结构器件。FinFET，鳍状场效应晶体管，是一种多栅半导体器件。由于结构上的独有特点，FinFET成为深亚微米集成电路领域很具发展前景的器件。顾名思义，FinFET包括一个垂直于体硅的衬底的Fin，Fin被称为鳍片或鳍状半导体柱，不同的FinTET被STI结构分割开来。不同于常本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件制造方法，包括：步骤1，在衬底上形成栅极堆叠结构以及第一栅极侧墙；步骤2，在第一栅极侧墙两侧外延生长形成抬升区；步骤3，执行第一离子注入，对抬升区和/或衬底进行掺杂，形成轻掺杂源漏区；步骤4，在第一栅极侧墙两侧的抬升区上形成第二栅极侧墙；步骤5，执行第二离子注入，对抬升区和/或衬底进行掺杂，形成重掺杂源漏区；步骤6，完成后续工艺，形成接触互连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：秦长亮，殷华湘，李俊峰，赵超，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11