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一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠结构以及第一栅极侧墙；在第一栅极侧墙两侧外延生长形成抬升区；执行第一离子注入，对抬升区和/或衬底进行掺杂，形成轻掺杂源漏区；在第一栅极侧墙两侧的抬升区上形成第二栅极侧墙；执行第二离子注入，对...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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