沟槽型超级结的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种沟槽型超级结的制造方法，包括步骤：步骤一、提供表面形成有第一导电类型外延层的半导体衬底；步骤二、在第一导电类型外延层中形成多个沟槽。步骤三、在沟槽中填充第二导电类型外延层，包括分步骤：步骤31、进行速率较快的第一次外延生长在沟槽的底部填充第一外延子层，以提高生产速率；步骤32、进行速率较慢的第二外延生长在沟槽的顶部填充第二外延子层，以保证和提高第二导电类型薄层性能。步骤四、进行化学机械研磨工艺将沟槽外部的第二导电类型外延层去除并组成超级结。本发明专利技术不仅能提高超级结的薄层的性能，还能提高外延填充速率、降低工艺成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种。
技术介绍
超级结为由形成于半导体衬底中的交替排列的P型薄层和N型薄层组成，现有超级结的制造方法中包括，这种方法是通过沟槽工艺制作超级结器件，需要先在半导体衬底如硅衬底表面的N型掺杂外延层上刻蚀一定深度和宽度的沟槽，然后利用外延填充(ERI Fi 11 ing)的方式在刻出的沟槽上填充P型掺杂的硅外延，并且要求填充区域具有完好的晶体结构，以便后续流程制作高性能的器件。这种工艺的最大难点在于在沟槽中填充硅外延。现有技术中，外延如硅外延填充效果和填充时间成正比，填充时间越长，硅缺陷越少;填充时间减少，填充效果变差。如图1A所示，是现有方法中硅外延填充速率较慢时沟槽填充照片;填充于沟槽中的硅外延层101a具有较少的缺陷，从而使得硅外延层101a的质量较好。如图1B所示，是现有方法中硅外延填充速率较块时沟槽填充照片;填充于沟槽中的硅外延层101b具有较多的缺陷，缺陷如标记102所示，这会使得娃外延层101b的质量较差。图1B所示的硅外延层101b由于质量较差而无法应用于性能要求较高的超级结器件，为了获得更好的器件性能，常常需要大幅增加填充时间，也即形成图1A所示的硅外延层101a，在半导体集成电路制造领域中，时间就是成本，填充时间增加后会大大提高生产成本，消弱竞争优势。所以现有技术中，超级结的薄层性能和生产成本对外延填充沟槽的速率的要求正好矛盾，无法实现两者的同时提高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，不仅能提高超级结的薄层的性能，还能提高外延填充速率、降低工艺成本。为解决上述技术问题，本专利技术提供的包括如下步骤:步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成有第一导电类型外延层。步骤二、采用光刻刻蚀工艺在所述第一导电类型外延层中形成多个沟槽。步骤三、采用外延生长中在所述沟槽中填充第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层的外延生长工艺包括如下分步骤:步骤31、进行第一次外延生长在所述沟槽的底部填充具有第二导电类型掺杂的第一外延子层。步骤32、进行第二外延生长在所述沟槽的顶部填充具有第二导电类型掺杂的第二外延子层；由所述第一外延子层和所述第二外延子层叠加形成所述第二导电类型外延层。所述第一次外延生长的速率大于所述第二次外延生长的速率，利用外延生长速率越小、外延填充沟槽的缺陷越少的特点在所述沟槽的顶部形成具有缺陷少的所述第二外延子层;所述第二外延子层的深度要求设置为大于超级结器件的P型体区的深度，使后续由填充于所述沟槽的所述第二导电类型外延层组成第二导电类型薄层的性能由所述第二外延子层决定，在通过所述第二外延子层使所述第二导电类型薄层的性能得到保持或提高的条件下，通过提高所述第一次外延生长的速率来提高整个沟槽的外延填充速率。步骤四、进行化学机械研磨工艺，所述化学机械研磨工艺将所述沟槽外部的所述第二导电类型外延层去除、将所述沟槽区域的所述第二导电类型外延层的表面和所述沟槽外的表面相平；由填充于所述沟槽中的所述第二导电类型外延层组成所述第二导电类型薄层、由各所述沟槽之间的所述第一导电类型外延层组成第一导电类型薄层，所述第二导电类型薄层和所述第二导电类型薄层交替排列组成超级结。进一步的改进是，步骤一中所述第一导电类型外延层的厚度为15微米?60微米。进一步的改进是，所述半导体衬底为硅衬底，所述第一导电类型外延层为第一导电类型硅外延层，所述第二导电类型外延层为第二导电类型硅外延层。进一步的改进是，步骤二中形成所述沟槽包括如下分步骤:步骤21、在所述第一导电类型外延层表面形成硬质掩模层。步骤22、在所述硬质掩模层表面涂布光刻胶，进行光刻工艺将所述沟槽形成区域打开。步骤23、以所述光刻胶为掩模对所述硬质掩模层进行刻蚀，该刻蚀工艺将所述沟槽形成区域的所述硬质掩模层去除、所述沟槽外的所述硬质掩模层保留。步骤24、去除所述光刻胶，以所述硬质掩模层为掩模对所述第一导电类型外延层进行刻蚀形成所述沟槽。采用所述硬质掩模层之后，在所述步骤四中所述化学机械研磨工艺以所述硬质掩模层为研磨终点，在所述化学机械研磨工艺之后去除所述硬质掩模层。进一步的改进是，所述硬质掩模层由依次形成于所述第一导电类型外延层表面的第一氧化层、第二氮化硅层和第三氧化层叠加而成。进一步的改进是，步骤24中所述沟槽的刻蚀工艺完成后要求所述第三氧化层的厚度保留一半以上;在所述沟槽形成之后还包括如下步骤:步骤25、去除所述第三氧化层。步骤26、采用热氧化工艺在所述沟槽的底部表面和侧面形成牺牲氧化层，之后去除所述牺牲氧化层以对所述沟槽的底部表面和侧面进行修复，去除所述牺牲氧化层时采用所述第二氮化硅层对所述第一氧化层进行保护。步骤27、去除所述第二氮化硅层。之后，在所述步骤四中所述化学机械研磨工艺以所述硬质掩模层的所述第一氧化层为研磨终点，在所述化学机械研磨工艺之后去除所述第一氧化层。进一步的改进是，所述第一氧化层为热氧化层，厚度为100埃米?2000埃米;所述第二氮化硅层的厚度为100埃米?1500埃米;所述第三氧化层的厚度为0.5微米?3微米。进一步的改进是，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型；所述半导体衬底为N型重掺杂。进一步的改进是，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。进一步的改进是，步骤25中采用湿法刻蚀工艺去除所述第三氧化层；步骤27中采用热磷酸去除所述第二氮化硅层;去除所述第一氧化层采用湿法刻蚀工艺。进一步的改进是，所述第二外延子层的深度为5微米?10微米。本专利技术通过巧妙利用外延生长速率越小、外延填充沟槽的缺陷越少的特点以及沟槽中的外延薄层的性能由位于沟槽顶部一定深度内的外延层决定的特点来对外延填充沟槽的工艺进行了特别设置，首先采用速率较大的第一次外延生长在沟槽的底部填充第一外延子层，接着采用速率较小的第二次外延生长在沟槽的顶部填充第二外延子层，由第一和二外延子层叠加形成沟槽中的外延层。其中第二外延子层的深度要求设置为大于超级结器件的P型体区的深度，使沟槽中的外延薄层的性能由第二外延子层决定;这样就能通过降低第二外延子层的外延生长速率来提高第二外延子层的性能，从而能使沟槽中的外延薄层的性能能够得到保证或提高;而第一外延子层的外延生长速率由于对沟槽中的外延薄层的性能影响不大，故可以采用生长速率较快的外延工艺形成第一外延子层，这会大大加快整个外延填充工艺的速率。另外，在实际生产中，第一外延子层沟槽的深度要比第二外延子层的大，即使第二外延子层的外延生长速率有所降低，第一外延子层和第二外延子层的所需的总的填充时间也会大大减少。所以不仅能提高超级结的薄层的性能，还能提高外延填充速率、降低工艺成本。【附图说明】下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步详细的说明:图1A是现有方法中硅外延填充速率较慢时沟槽填充照片；图1B是现有方法中硅外延填充速率较块时沟槽填充照片；图2是本专利技术实施例方法的流程图；图3A-图3D是本专利技术实施例方法各步骤中的器件结构示意图。【具体实施方式】如图2所示，是本专利技术实施例方法的流程图；如图3A至图3D所示，是本专利技术实施例方法各步骤中的器件结构示意图。本专利技术实施例沟槽4型超级结的制造方法包括如下步骤:步骤一、如图3A所示，提供一半导体衬底1，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟槽型超级结的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成有第一导电类型外延层；步骤二、采用光刻刻蚀工艺在所述第一导电类型外延层中形成多个沟槽；步骤三、采用外延生长中在所述沟槽中填充第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层的外延生长工艺包括如下分步骤：步骤31、进行第一次外延生长在所述沟槽的底部填充具有第二导电类型掺杂的第一外延子层；步骤32、进行第二外延生长在所述沟槽的顶部填充具有第二导电类型掺杂的第二外延子层；由所述第一外延子层和所述第二外延子层叠加形成所述第二导电类型外延层；所述第一次外延生长的速率大于所述第二次外延生长的速率，利用外延生长速率越小、外延填充沟槽的缺陷越少的特点在所述沟槽的顶部形成具有缺陷少的所述第二外延子层；所述第二外延子层的深度要求设置为大于超级结器件的P型体区的深度，使后续由填充于所述沟槽的所述第二导电类型外延层组成第二导电类型薄层的性能由所述第二外延子层决定，在通过所述第二外延子层使所述第二导电类型薄层的性能得到保持或提高的条件下，通过提高所述第一次外延生长的速率来提高整个沟槽的外延填充速率；步骤四、进行化学机械研磨工艺，所述化学机械研磨工艺将所述沟槽外部的所述第二导电类型外延层去除、将所述沟槽区域的所述第二导电类型外延层的表面和所述沟槽外的表面相平；由填充于所述沟槽中的所述第二导电类型外延层组成所述第二导电类型薄层、由各所述沟槽之间的所述第一导电类型外延层组成第一导电类型薄层，所述第二导电类型薄层和所述第二导电类型薄层交替排列组成超级结。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李昊，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31