沟槽型超级结的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种沟槽型超级结的制造方法，包括步骤：步骤一、提供表面形成有第一导电类型外延层的半导体衬底。步骤二、在第一导电类型外延层中形成多个沟槽。步骤三、在沟槽中填充第二导电类型外延层。步骤四、进行第一次化学机械研磨工艺将沟槽外部的第二导电类型外延层去除。步骤五、进行第二次外延层回刻工艺对第一和二导电类型外延层同时回刻一定深度，以去除在沟槽顶部形成的空洞和外延层晶格缺陷。本发明专利技术能提高超级结的晶格结构的完整性，方便用于制作高性能的超级结器件，降低超级结器件的反向漏电流、提高超级结器件的生产良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种。
技术介绍
超级结为由形成于半导体衬底中的交替排列的P型薄层和N型薄层组成，现有超级结的制造方法中包括，这种方法是通过沟槽工艺制作超级结器件，需要先在半导体衬底如硅衬底表面的N型掺杂外延层上刻蚀一定深度和宽度的沟槽，然后利用外延填充(ERI Fi 11 ing)的方式在刻出的沟槽上填充P型掺杂的硅外延，并且要求填充区域具有完好的晶体结构，以便后续流程制作高性能的器件。这种工艺的最大难点在于在沟槽中填充硅外延，现有制造方法非常容易引起器件的反向漏电流急剧增加，从而导致器件的失效，严重影响生产良率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，能提高超级结的晶格结构的完整性，方便用于制作高性能的超级结器件，降低超级结器件的反向漏电流、提尚超级结器件的生广良率。为解决上述技术问题，本专利技术提供的包括如下步骤:步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成有第一导电类型外延层。步骤二、采用光刻刻蚀工艺在所述第一导电类型外延层中形成多个沟槽。步骤三、采用外延生长中在所述沟槽中填充第二导电类型外延层，所述第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟槽型超级结的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成有第一导电类型外延层；步骤二、采用光刻刻蚀工艺在所述第一导电类型外延层中形成多个沟槽；步骤三、采用外延生长中在所述沟槽中填充第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层同时延伸到所述沟槽外部的所述第一导电类型外延层表面；步骤四、进行第一次化学机械研磨工艺，所述第一次化学机械研磨工艺将所述沟槽外部的所述第二导电类型外延层去除、将所述沟槽区域的所述第二导电类型外延层的表面和所述沟槽外的表面相平；由填充于所述沟槽中的所述第二导电类型外延层组成第二导电类型薄层，由各所述沟槽之间的所述第一导电类型外延层...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李昊，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31