超级结深沟槽的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种超级结深沟槽的制造方法，包括步骤：在N型硅基片上形成硬掩膜层；进行光刻工艺定义出超级结深沟槽的形成区域；对硬掩膜层进行刻蚀；对超级结深沟槽的形成区域的硅进行刻蚀形成超级结深沟槽，通过设置超级结深沟槽的刻蚀工艺条件来改善超级结深沟槽的面内均匀性，包括通过将RF源功率调节到400W～600W以及通过将SF6和O2的气体流量比设置为大于2：1来改善超级结深沟槽的面内均匀性。本发明专利技术能改善深沟槽的深度面内均匀性，从而改善器件的击穿电压的面内均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种。
技术介绍
采用超级结(superjunct1n)结构的MOS器件，由于其构造特殊，具有导通电阻低，耐高压，发热量低的优点，因此又叫cool MOS器件。超级结结构的实现方法之一是先在N型硅基片上刻蚀出深沟槽，再通过外延(EPI) —次性填充P型硅，这种方法成本相对低，但是工艺难度较高。其中深沟槽的面内深度均匀性比较差，现有方法形成的深沟槽的面内深度均匀性约为2.8微米，面内深度均匀性变差会导致面内击穿电压(BV)均匀性变差，采用现有方法形成的深沟槽的cool MOS器件的面内深度均匀性约150V至200V。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，能改善深沟槽的深度面内均匀性，从而改善器件的击穿电压的面内均匀性。为解决上述技术问题，本专利技术提供的包括如下步骤:步骤一、在N型硅基片上形成硬掩膜层。步骤二、在所述硬掩膜层上旋涂光刻胶并进行光刻形成有第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形定义出超级结深沟槽的形成区域。步骤三、以所述第一光刻胶图形为掩膜对所述硬掩膜层进行刻蚀；去除所述第一光刻胶图形。步骤四、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超级结深沟槽的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在N型硅基片上形成硬掩膜层；步骤二、在所述硬掩膜层上旋涂光刻胶并进行光刻形成有第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形定义出超级结深沟槽的形成区域；步骤三、以所述第一光刻胶图形为掩膜对所述硬掩膜层进行刻蚀；去除所述第一光刻胶图形；步骤四、以刻蚀后的所述硬掩膜层为掩膜对所述超级结深沟槽的形成区域的硅进行刻蚀形成超级结深沟槽；通过设置所述超级结深沟槽的刻蚀工艺条件来改善所述超级结深沟槽的面内均匀性，通过将RF源功率调节到400W～600W使刻蚀工艺的腔室内的等离子体分布的均匀性提高，通过将SF6和O2的气体流量比设置为大于2：1来改善沉积效应...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙孝翔，熊磊，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31