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本发明公开了一种超级结深沟槽的制造方法，包括步骤：在N型硅基片上形成硬掩膜层；进行光刻工艺定义出超级结深沟槽的形成区域；对硬掩膜层进行刻蚀；对超级结深沟槽的形成区域的硅进行刻蚀形成超级结深沟槽，通过设置超级结深沟槽的刻蚀工艺条件来改善超级结...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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