超级结及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种超级结，电流流动区包含多个平行排列的第一沟槽；终端保护区包括多个环绕于电流流动区周侧的沟槽环；各沟槽环由四条边沟槽和四个角环绕而成；各沟槽环的四个角的位置处相邻的两条边沟槽不连通而呈沟槽断开式结构，使各沟槽环的各位置处沟槽都为直线式结构并消除具有转角的沟槽，从而消除转角沟槽在外延填充时产生的应力缺陷。本发明专利技术还公开了一种超级结的制造方法。本发明专利技术能减少沟槽填充中产生的缺陷，提高产品的性能和良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种超级结，本专利技术还涉及该超级结的制造方法。
技术介绍
超级结MOSFET采用新的耐压层结构，利用一系列的交替排列的半导体P型薄层和N型薄层组成的超级结来在截止状态下在较低电压下就将所述P型薄层和N型薄层耗尽，实现电荷相互补偿，从而使P型薄层和N型薄层在高掺杂浓度下能实现高的击穿电压，从而同时获得低导通电阻和高击穿电压，打破传统功率MOSFET理论极限。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种超级结，能减少沟槽填充中产生的缺陷，提高产品的性能和良率。为此，本专利技术还提供一种超级结的制造方法。为解决上述技术问题，本专利技术提供的超级结的中间区域为电流流动区，终端保护区形成于所述电流流动区的周侧。所述电流流动区包含多个平行排列的第一沟槽。所述终端保护区包括多个环绕于所述电流流动区周侧的沟槽环，在俯视面上，各所述沟槽环沿着从所述电流流动区的外侧边缘向外依次交替排列。各所述沟槽环由四条边沟槽和四个角环绕而成;各所述沟槽环的第一边沟槽和第三边沟槽都和所述第一沟槽平行，各所述沟槽环的第二边沟槽和第四边沟槽都和所述第一沟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超级结，其特征在于：超级结的中间区域为电流流动区，终端保护区形成于所述电流流动区的周侧；所述电流流动区包含多个平行排列的第一沟槽；所述终端保护区包括多个环绕于所述电流流动区周侧的沟槽环，在俯视面上，各所述沟槽环沿着从所述电流流动区的外侧边缘向外依次交替排列；各所述沟槽环由四条边沟槽和四个角环绕而成；各所述沟槽环的第一边沟槽和第三边沟槽都和所述第一沟槽平行，各所述沟槽环的第二边沟槽和第四边沟槽都和所述第一沟槽垂直；各所述沟槽环的四个角的位置处相邻的两条边沟槽不连通而呈沟槽断开式结构，使各所述沟槽环的各位置处沟槽都为直线式结构并消除具有转角的沟槽，从而消除转角沟槽在外延填充时产生的应力缺陷；所...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李昊，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31