沟槽型超级结的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种沟槽型超级结的制造方法，包括步骤：步骤一、提供表面形成有第一导电类型外延层的晶圆。步骤二、采用光刻工艺定义出沟槽形成区域，使位于晶圆的中间区域沟槽的顶部宽度大于位于边缘区域沟槽的顶部宽度。步骤三、对第一导电类型外延层进行刻蚀形成沟槽。步骤四、采用外延生长中在各沟槽中填充掺杂工艺条件相同的第二导电类型外延层。本发明专利技术能提高同一晶圆上的超级结器件的反向击穿电压的面内均匀性，以及能保证同一晶圆上的超级结器件的反向击穿电压的面内均匀性较好的条件下使超级结器的反向击穿电压提高。

【技术实现步骤摘要】
201610064035

【技术保护点】
一种沟槽型超级结的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底晶圆，在所述半导体衬底晶圆表面形成有第一导电类型外延层；步骤二、采用光刻工艺定义出沟槽形成区域并将所述沟槽形成区域打开；后续形成的各沟槽的顶部宽度由所述光刻工艺设定且各所述沟槽的顶部宽度的大小设定方法为：利用刻蚀后位于所述半导体衬底晶圆的中间区域所述沟槽的侧面比位于所述半导体衬底晶圆的边缘区域所述沟槽的侧面更倾斜的特点并结合后续步骤三的刻蚀深度，通过所述光刻工艺的定义使位于所述半导体衬底晶圆的中间区域所述沟槽的顶部宽度大于位于所述半导体衬底晶圆的边缘区域所述沟槽的顶部宽度，并使刻蚀后位于所述半导体衬底晶圆的中间区域所...

【技术特征摘要】
1.一种沟槽型超级结的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、提供一半导体衬底晶圆，在所述半导体衬底晶圆表面形成有第一导电类
型外延层；
步骤二、采用光刻工艺定义出沟槽形成区域并将所述沟槽形成区域打开；
后续形成的各沟槽的顶部宽度由所述光刻工艺设定且各所述沟槽的顶部宽度的
大小设定方法为：
利用刻蚀后位于所述半导体衬底晶圆的中间区域所述沟槽的侧面比位于所述半
导体衬底晶圆的边缘区域所述沟槽的侧面更倾斜的特点并结合后续步骤三的刻蚀深
度，通过所述光刻工艺的定义使位于所述半导体衬底晶圆的中间区域所述沟槽的顶部
宽度大于位于所述半导体衬底晶圆的边缘区域所述沟槽的顶部宽度，并使刻蚀后位于
所述半导体衬底晶圆的中间区域所述沟槽的沿宽度方向的断面面积和位于所述半导
体衬底晶圆的边缘区域所述沟槽的沿宽度方向的断面面积的差值缩小并趋向于相等，
从而提高所述沟槽的沿宽度方向的断面面积在所述半导体衬底晶圆的面内均匀性；
步骤三、对打开后的所述沟槽形成区域的所述第一导电类型外延层进行刻蚀形成
所述沟槽；
步骤四、采用外延生长中在所述沟槽中填充第二导电类型外延层，由填充于所述
沟槽中的所述第二导电类型外延层组成第二导电类型薄层，由各所述沟槽之间的所述
第一导电类型外延层组成第一导电类型薄层，由所述第一导电类型薄层和所述第二导
电类型薄层交替排列组成超级结；
各所述沟槽中的所述第二导电类型外延层的掺杂工艺条件相同，结合所述沟槽的
沿宽度方向的断面面积的面内均匀性的特征使所述超级结的击穿电压的面内均匀性
提高。
2.如权利要求1所述的沟槽型超级结的制造方法，其特征在于：所述半导体衬
底晶圆为硅衬底晶圆，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昊，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31