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本发明公开了一种沟槽型超级结的制造方法，包括步骤：步骤一、提供表面形成有第一导电类型外延层的晶圆。步骤二、采用光刻工艺定义出沟槽形成区域，使位于晶圆的中间区域沟槽的顶部宽度大于位于边缘区域沟槽的顶部宽度。步骤三、对第一导电类型外延层进行刻蚀...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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