半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体器件，在具有SRAM存储单元的半导体器件中谋求其可靠性的提高。具有SRAM存储单元(MC)的半导体器件在两个负载晶体管(Lo1、Lo2)和两个驱动晶体管(Dr1、Dr2)的下部设置有作为背栅而发挥功能的电独立的四个半导体区域(LPW、LNW、RNW、RPW)，对负载晶体管(Lo1、Lo2)和驱动晶体管(Dr1、Dr2)的阈值电压进行控制。而且，设置于两个负载晶体管(Lo1、Lo2)下部的两个n型半导体区域(LNW、RNW)之间通过p型半导体区域DPW而电分离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及有效应用于具有配置于SOI衬底上的M0S、SRAM的半导体器件的技术。
技术介绍
SRAM (Static Random Access Memory:静态随机存取存储器)为半导体存储器的一种，使用触发器(flip-flop)来存储数据。例如，在SRAM中，在由四个晶体管构成的两个交叉连接的CMOS反相器(inverter)中存储数据(“I”或者“O”)。另外，为了读取和写入存取而需要两个晶体管，因此在典型的SRAM中，存储单元(memory cell)由六个晶体管构成。CMOS 是互补型(Complementary)MOS(Metal Oxide Semiconductor:金属氧化物半导体)的简称。例如，在以下专利文献I (日本特开平11-39879号公报)中公开了以下技术:设置使SRAM部的衬底电位选择性地变更的电路元件，使用该电路元件来改变SRAM部的MOSFET的阈值电压。而且，公开了以下技术:在写入时和读取时变更阈值电压，一边维持SRAM部的高速动作一边作为整体抑制消耗电力。另外，在以下专利文献2(日本特开2011-90782号公本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体衬底，其具有主面；半导体层，其经由隐埋绝缘膜而形成在所述半导体衬底的所述主面之上；第一n阱区域和第二n阱区域，其形成于所述半导体衬底的所述主面，沿所述主面的第一方向延伸；虚设p阱区域，其设置于所述第一n阱区域与所述第二n阱区域之间，沿所述第一方向延伸；第一p阱区域，其在所述虚设p阱区域的相反一侧与所述第一n阱区域相邻，沿所述第一方向延伸；第二p阱区域，其在所述虚设p阱区域的相反一侧与所述第二n阱区域相邻，沿所述第一方向延伸；第一位线和第二位线，其分别沿着所述第一方向延伸；多个存储单元，其分别与所述第一位线和所述第二位线连接；以及多个字线，其分别与所述多个...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：槙山秀树，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP