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本发明提供一种半导体器件，在具有SRAM存储单元的半导体器件中谋求其可靠性的提高。具有SRAM存储单元(MC)的半导体器件在两个负载晶体管(Lo1、Lo2)和两个驱动晶体管(Dr1、Dr2)的下部设置有作为背栅而发挥功能的电独立的四个半导体...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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