隔离结构的制作方法及半导体器件技术

本申请公开了一种隔离结构的制作方法及半导体器件。其中，该制作方法包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底；分别在位于第一区域和第二区域中的衬底中形成浅沟槽，并在相邻浅沟槽之间的衬底的表面上形成掩膜层，且位于第一区域中的掩膜层的上表面高于位于第二区域中的掩膜层的上表面；在浅沟槽中形成隔离物质层，且位于第一区域中的隔离物质层的上表面与位于第一区域中的掩膜层的上表面齐平，位于第二区域中的隔离物质层的上表面与位于第二区域中的掩膜层的上表面齐平；去除掩膜层，以使浅沟槽和隔离物质层构成隔离结构。该制作方法实现了使第二区域中形成的隔离结构的高度低于第一区域中形成的隔离结构的高度的目的。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体集成电路的
，具体而言，涉及一种隔离结构的制作方 法及半导体器件。
技术介绍
在半导体器件的制作过程中，需要在衬底中形成隔离结构以将相邻器件隔离开。 目前，常见的隔离结构包括形成于衬底中的浅沟槽（STI)以及形成于浅沟槽中的隔离物质 层。同时，由于半导体器件的不同功能区中的器件所需隔离效果不同，使得所需隔离结构的 高度不相同。例如，在闪存器件中，通常根据器件的功能分为核心存储区和逻辑电路区，由 于核心存储区中形成有一些高压器件，因此核心存储区中需要形成较高的隔离结构，而逻 辑电路区中仅需形成较低的隔离结构。 现有隔离结构的制作过程通常包括以下步骤：首先，在衬底的表面上形成掩膜层， 且该衬底包括第一区域和第二区域；然后，依次刻蚀掩膜层和衬底，以在衬底中形成浅沟 槽；接下来，在浅沟槽中形成上表面与掩膜层的上表面齐平的隔离物质层；最后，去除掩膜 层，以使浅沟槽和隔离物质层构成隔离结构。 上述制作方法在第一区域和第二区域中所形成的隔离结构的高度相同，使得该制 作方法不能调控位于不同区域中的隔离结构的高度，进而影响半导体器件中的隔离结构的 性能。例如，在闪存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种隔离结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底；分别在位于所述第一区域和所述第二区域中的所述衬底中形成浅沟槽，并在相邻所述浅沟槽之间的所述衬底的表面上形成掩膜层，且位于所述第一区域中的掩膜层的上表面高于位于所述第二区域中的掩膜层的上表面；在所述浅沟槽中形成隔离物质层，且位于所述第一区域中的所述隔离物质层的上表面与位于所述第一区域中的所述掩膜层的上表面齐平，位于所述第二区域中的所述隔离物质层的上表面与位于所述第二区域中的所述掩膜层的上表面齐平；去除所述掩膜层，以使所述浅沟槽和所述隔离物质层构成所述隔离结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李敏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31