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本申请公开了一种隔离结构的制作方法及半导体器件。其中，该制作方法包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底；分别在位于第一区域和第二区域中的衬底中形成浅沟槽，并在相邻浅沟槽之间的衬底的表面上形成掩膜层，且位于第一区域中的掩膜层的上表面高于位于第...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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