一种柔性半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术属于半导体制造领域，公开了一种柔性半导体器件的制备方法，首先在无机半导体衬底上生长无机半导体薄膜，接着制备基于无机半导体薄膜的半导体器件以及隔离介质层，然后刻蚀沟槽使半导体器件的底部保持悬空，最后通过PDMS印章工艺将半导体器件转移至柔性衬底，该方法完全兼容了目前主流的微电子工艺技术，而且基于无机半导体材料所制备的半导体器件使得器件性能够得到有效保证。同时，本发明专利技术可广泛应用于不同种类的柔性半导体器件的制备，如发光二极管(LED)或场效应晶体管(FET)等，更可直接应用于柔性电路的实现，通过与柔性封装工艺相集成，有望实现柔性电路芯片的大规模量产，具有非常重要的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造
，涉及。
技术介绍
近年来，随着柔性显示技术和智能可穿戴产品的迅速发展，柔性电子学受到越来越多的关注，而柔性半导体器件作为柔性电子学的核心元器件也受到越来越广泛的探索和研究。有机半导体材料因其具有较好的柔韧性和较低的工艺成本一直是柔性半导体器件研究的基础材料，如有机发光二极管(0LED)、有机薄膜晶体管(0TFT)等，但是有机半导体材料较低的载流子迀移率极大地限制了器件性能的提升，同时，有机半导体材料还极易受到氧气和湿度的影响，从而导致半导体器件的可靠性存在很大问题。研究发现，以硅材料为代表的无机半导体材料相比有机半导体材料具有更为优异的电学特性，无机半导体材料一直是制备半导体器件的首选材料，并已在集成电路领域获得大规模量产应用。近年来，越来越多的研究人员开始探索利用无机半导体材料实现柔性半导体器件的可行性，典型研究材料包括一维纳米线材料(如碳纳米管)和二维薄膜材料(如硅薄膜、氧化锌薄膜等)。但是由于受限于工艺条件和制备能力，柔性半导体器件的制备成本高且产量较低，柔性半导体器件要想获得大规模的实际应用，必须首选研发出低成本的量产工艺技术。因此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种柔性半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01，提供一无机半导体衬底；步骤S02，采用异质外延生长工艺在所述无机半导体衬底上生长无机半导体薄膜；步骤S03，制备基于无机半导体薄膜的半导体器件以及隔离介质层；步骤S04，采用光刻和刻蚀工艺在所述半导体器件四周形成沟槽，且所述沟槽的四周相邻的端点处保留预设尺寸的桥接；步骤S05，对所述无机半导体衬底进行横向刻蚀，以使所述半导体器件的底部保持悬空；步骤S06，采用PDMS印章工艺将半导体器件转移至柔性衬底，形成柔性半导体器件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭奥，胡少坚，周伟，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，成都微光集电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31