半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术揭示了一种半导体器件，包括：半导体基底，所述半导体基底上形成有一铝垫片；钝化层，覆盖所述铝垫片，所述钝化层中形成有一第一开口，所述第一开口贯穿所述钝化层，并暴露出部分所述铝垫片；以及第一开口侧墙，位于所述第一开口的侧壁上。同时，本发明专利技术提供一种半导体器件的制备方法，包含：提供半导体基底，在所述半导体基底上形成一铝垫片；形成一钝化层，所述钝化层覆盖所述铝垫片；形成一第一开口，所述第一开口贯穿所述钝化层，并暴露出部分所述铝垫片；以及在所述第一开口的侧壁上形成一第一开口侧墙。本发明专利技术的半导体器件以及制备方法的工艺的可靠性高，可以减少或避免在铝垫片上形成三氟化铝晶体的缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种。
技术介绍
目前，在半导体器件的后段化ack-end-of-line，BEOL)工艺中，制作半导体集成 电路时，半导体器件层形成之后，需要在半导体器件层之上形成多层金属互连层，半导体器 件层通过多层金属互连层与顶层互连层的铅垫片实现电导通。一般的，需要在顶层互连层 的表面沉积一层纯化层，W保护半导体器件免受潮气、划伤W及沾污的影响。 为了将电信号引入到半导体器件，需要在纯化层上形成一开口，W暴露出部分铅 垫片。如图1所示，半导体基底100上形成有铅垫片110,铅垫片（Al Pad) 110位于顶层互 连层中。铅垫片110上形成有纯化层120,开口 121贯穿纯化层120,并暴露出铅垫片110。在现有技术中，采用干法刻蚀工艺形成开口 121，在该干法刻蚀工艺中通常会使用 含氣（巧气体，从而在刻蚀的过程中，产生含氣副产物（resi化e)附着在开口 121的侧壁 上。然而，随着时间的推移，含氣副产物中的氣会挥发出来，与开口 121底部的铅垫片110 中的铅发生反应，形成H氣化铅（AlFs)晶体，H氣化铅晶体粘附在开口 121底部的铅垫片 110上，形成缺陷，而影响器件的性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种，可W减少或避免在铅垫 片上形成H氣化铅晶体的缺陷。 为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体器件的制备方法，包括： 提供半导体基底，在所述半导体基底上形成一铅垫片； 形成一纯化层，所述纯化层覆盖所述铅垫片； 形成一第一开口，所述第一开口贯穿所述纯化层，并暴露出部分所述铅垫片；W及 在所述第一开口的侧壁上形成一第一开口侧墙。 可选的，在所述第一开口的侧壁上形成一第一开口侧墙的步骤包括： 形成一保护层，所述保护层覆盖所述第一开口的底部和所述第一开口的侧壁； 去除所述第一开口的底部上的所述保护层，W暴露出部分所述铅垫片，并保留所 述第一开口的侧壁上的所述保护层，形成所述第一开口侧墙。 可选的，在所述半导体器件的制备方法中，采用干法刻蚀工艺去除所述第一开口 的底部上的所述保护层。 可选的，在所述半导体器件的制备方法中，所述保护层的厚度为200A~800A。 可选的，在所述半导体器件的制备方法中，在所述铅垫片和纯化层之间形成一抗 反射层，所述第一开口贯穿所述抗反射层。 可选的，在所述半导体器件的制备方法中，所述抗反射层为电介质抗反射层。 可选的，在所述半导体器件的制备方法中，在所述纯化层中形成未暴露所述铅垫 片的第二开口，并在所述第二开口的侧壁上形成一第二开口侧墙。 可选的，在所述半导体器件的制备方法中，所述第二开口侧墙的材料为氮化娃。 可选的，在所述半导体器件的制备方法中，在所述纯化层上形成一硬质掩膜层。 可选的，在所述半导体器件的制备方法中，所述硬质掩膜层的材料为氮化娃。 可选的，在所述半导体器件的制备方法中，所述第一开口侧墙的材料为氮化娃。 可选的，在所述半导体器件的制备方法中，所述纯化层的材料为氧化娃。 根据本专利技术的另一面，还提供一种半导体器件，包括：半导体基底，所述半导体基底上形成有一铅垫片； 纯化层，覆盖所述铅垫片，所述纯化层中形成有一第一开口，所述第一开口贯穿所 述纯化层，并暴露出部分所述铅垫片；W及 第一开口侧墙，位于所述第一开口的侧壁上。 可选的，在所述半导体器件中，所述铅垫片和纯化层之间形成有一抗反射层，所述 第一开口贯穿所述抗反射层。 可选的，在所述半导体器件中，所述抗反射层为电介质抗反射层。 可选的，在所述半导体器件中，所述纯化层中还形成有一未暴露所述铅垫片的第 二开口，所述第二开口的侧壁上形成一第二开口侧墙。 可选的，在所述半导体器件中，所述第二开口侧墙的材料为氮化娃。 可选的，在所述半导体器件中，所述纯化层上形成有一硬质掩膜层，所述第一开口 贯穿所述硬质掩膜层。 可选的，在所述半导体器件中，所述硬质掩膜层的材料为氮化娃。 可选的，在所述半导体器件中，所述第一开口侧墙的材料为氮化娃。 可选的，在所述半导体器件中，所述纯化层的材料为氧化娃。 可选的，在所述半导体器件中，所述第一开口侧墙的厚度为200A~800A。 与现有技术相比，本专利技术提供的具有W下优点： 在中，在所述第一开口的侧壁上形成一第一开口侧墙， 所述第一开口侧墙可W隔绝在形成所述第一开口时产生的含氣副产物，从而可W防止含氣 副产物中的氣会挥发出来，W避免氣与开口底部的铅垫片中的铅发生反应，可W避免在铅 垫片上形成H氣化铅晶体的缺陷。【附图说明】图1为现有技术中的嵌入式闪存的示意图； 图2为本专利技术一实施例中半导体器件的制备方法的流程图； 图3至图9为本专利技术一实施例中半导体器件的制备方法中器件结构的示意图。【具体实施方式】 下面将结合示意图对本专利技术的进行更详细的描述，其中 表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可W修改在此描述的本专利技术，而仍 然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道， 而并不作为对本专利技术的限制。 为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能 和结构，因为它们会使本专利技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开 发中，必须做出大量实施细节W实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的 限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为送种开发工作可能是复杂和耗费 时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。 在下列段落中参照附图W举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要 求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非 精准的比例，仅用W方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。 本专利技术的核必思想在于，提供一种半导体器件的制备方法，包括如下步骤： 步骤S11，提供半导体基底，在所述半导体基底上形成一铅垫片； 步骤S12,形成一纯化层，所述纯化层覆盖所述铅垫片； 步骤S13,形成一第一开口，所述第一开口贯穿所述纯化层，并暴露出部分所述铅 垫片； 步骤S14,在所述第一开口的侧壁上形成一第一开口侧墙。 采用上述制备方法，可W避免在铅垫片上形成H氣化铅晶体的缺陷，可W提高工 艺的可靠性。 根据本专利技术的核必思想，还提供一种半导体器件，包括： 半导体基底，所述半导体基底上形成有一铅垫片； 纯化层，覆盖所述铅垫片，所述纯化层中形成有一第一开口，所述第一开口贯穿所 述纯化层，并暴露出部分所述铅垫片；W及 第一开口侧墙，位于所述第一开口的侧壁上。 W下结合图2和图3至图9,具体说明本专利技术的。其中， 图2为本专利技术一实施例中半导体器件的制备方法的流程图；图3至图9为本专利技术一实施例 中半导体器件的制备方法中器件结构的示意图。 首先，进行步骤S11，如图3所示，提供半导体基底200,在所述半导体基底200上 形成一铅垫片210。其中，所述半导体基底200中可W包括半导体器件层（半导体器件层中 包括有源区、栅极等结构）、多层金属互连层等必要的结构，此为本领域的技术人员可W理 解的，在图3中未具体示出。 较佳的，如图4所示，在所述铅垫片210上形成一抗反射层230,在步骤S13中，所 述抗反射层230有利于减小所述铅垫片210表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底上形成一铝垫片；形成一钝化层，所述钝化层覆盖所述铝垫片；形成一第一开口，所述第一开口贯穿所述钝化层，并暴露出部分所述铝垫片；以及在所述第一开口的侧壁上形成一第一开口侧墙。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石秀云，叶星，张校平，代大全，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31