【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及。
技术介绍
在半导体制造过程中，后段金属互联工艺中，低k工艺淀积低介电常数薄膜，减低金属间的寄生电容，提高器件的传输速度。在实际工艺制程中，在使用生产机台的低k介质层沉积工艺中，一般为一卡硅片淀积后执行如下判断决定是否执行清洁程式。其中，清洁程式的作用是用来清理腔体内薄膜。工艺腔室如果淀积相同的程式，不会执行此清洁工艺。这时，喷头上的薄膜变厚，腔体的状况变差。当腔体空闲时系统会自动执行每卡硅片开始时的清洗程式，也不能完全使腔体状态变好。此时，工艺腔室中淀积薄膜时，使硅片产生颗粒问题。每卡硅片开始时的清洗程式的作用就是使工艺腔室预热，事先在工艺腔室中创造薄膜生长环境，每卡硅片开始时的清洗程式通常采用3步，即:淀积+清洁+加热的方式。淀积是低介电质薄膜，此薄膜较为疏松，其首先直接与工艺腔室中的喷头接触，加热的作用是形成致密的低介电质薄膜，使腔体事先达到开始工艺的状态，以提高工艺的稳定性。现有的每卡硅片开始时的清洗程式，只是预热腔体，清洁腔体功能有限。如果，喷头淀积完一卡(25片)硅片没有进行清洗程式，即使进行每卡硅片开...
【技术保护点】
一种降低颗粒产生的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，于机台腔室内的硅片上沉积低k介质层；步骤S2，判断后续硅片是否同样进行低k介质层沉积，如不是，则对所述机台腔室进行清洗，如是则进行步骤S3；步骤S3，判断所述机台腔室是否进行周期清洁工艺，如是，则进行清洁工艺并对所述后续硅片进行低k介质层的沉积，如不是，则进行步骤S4；步骤S4：对所述机台腔室进行多层清洁工艺。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘波涛，钟飞，王科，韩晓刚，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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