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本发明及半导体制造领域，尤其涉及一种降低颗粒产生的方法。通过在低k薄膜淀积之前，每卡硅片开始时的清洗程式通过判断腔体淀积硅片前是否进行周期性清洗程式。如果没有,则执行经过优化的每卡硅片开始时的清洗程式。每卡硅片开始时的清洗程式优化的实施，增...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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