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本发明揭示了一种半导体器件，包括：半导体基底，所述半导体基底上形成有一铝垫片；钝化层，覆盖所述铝垫片，所述钝化层中形成有一第一开口，所述第一开口贯穿所述钝化层，并暴露出部分所述铝垫片；以及第一开口侧墙，位于所述第一开口的侧壁上。同时，本发明...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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