制作半导体元件的方法技术

本发明专利技术公开一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底，该基底包含至少一金属栅极设于其上、一源极/漏极区域设于金属栅极两侧的基底中以及一层间介电层环绕金属栅极。然后形成多个接触洞于层间介电层中并暴露出源极/漏极区域，形成一第一金属层于接触洞内，进行一第一热处理制作工艺，并接着进行一第二热处理制作工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其是涉及一种于形成接触洞后以两次热处理制作工艺形成金属硅化物的方法。
技术介绍
在半导体集成电路的制作工艺中，金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor, M0S)晶体管是一种极重要的电子元件,而随着半导体元件的尺寸越来越小，M0S晶体管的制作工艺步骤也有许多的改进，以制造出体积小而高品质的M0S晶体管。现有的M0S晶体管制作工艺是在半导体基底上形成栅极结构之后，再于栅极结构相对两侧的基底中形成轻掺杂漏极结构(lightly doped drain, LDD)。接着于栅极结构侧边形成间隙壁(spacer)，并以此栅极结构及间隙壁做为掩模，再进行离子注入步骤，以于半导体基底中形成源极/漏极区域。而为了要将晶体管的栅极与源极/漏极区域适当电连接于电路中，因此需要形成接触插塞(contact plug)来进行导通。通常接触插塞的材质为钨(W)、铝、铜等金属导体，然其与栅极结构、源极/漏极区域等多晶或单晶硅等材质之间的直接导通并不理想；因此为了改善金属插塞与栅极结构、源极/漏极区之间的欧米接触(Ohmicontact)，通常会在栅极结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底包含至少一金属栅极设于其上、一源极/漏极区域设于该金属栅极两侧的基底中以及一层间介电层环绕该金属栅极；形成多个接触洞于该层间介电层中并暴露出该源极/漏极区域；形成一第一金属层于该接触洞内；进行一第一热处理制作工艺；以及进行一第二热处理制作工艺。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：洪庆文，吴家荣，张宗宏，林静龄，李怡慧，黄志森，陈意维，林俊贤，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71