一种半导体器件的栅极结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体器件的栅极结构，包括位于衬底上的栅氧化层，位于栅氧化层上的场氧结构，以及位于栅氧化层和场氧结构上的多晶硅分裂栅；场氧结构的宽度小于第一栅极结构和第二栅极结构之间相互背离的两面的距离、且大于第一、二栅极结构之间的间隔，第一、二栅极结构之间的间隔区域在场氧结构上的正投影不应超出场氧结构的边缘。本实用新型专利技术能较大地减少栅电荷Qg。另一方面，由于栅电荷Qg大幅减小，因此可以将栅宽做得较大，使JFET电阻大大减小，导通电流大大增大，单位面积的导通电阻大大减小，从而可以用较小的芯片面积得到较大的导通电流和较小的导通电阻，比传统工艺生产的功率VDMOS和IGBT的芯片面积减小较多，能大大降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体器件的栅极结构。
技术介绍
功率VDM0S (垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)和功率IGBT (绝缘栅双极型晶体管)器件在功率驱动市场的需求量巨大，在人们的日常生活、工农业生产、国防和航天科技中随处可见，但在竞争日益激烈和越来越重视生产成本的今天，功率器件生产厂家面临着制作高性能器件和减小生产成本的巨大压力。现有功率器件VDM0S和IGBT的多晶栅由于较宽，使整个器件的栅面积大，从而栅电荷Qg很大，严重影响了器件的高频特性。特别是对于大电流功率器件而言，这一制约因素更加明显。如何减少栅电荷Qg，提高功率器件的开关工作频率成为功率器件制造中需要迫切解决的问题。并且，现有功率器件VDM0S和IGBT由于要满足一定的电流特性和一定的导通电阻，采用常规栅宽时，芯片面积要做得较大才能满足相应的电流特性。—种减小栅电荷Qg的方法是，在有源区多晶硅栅极和栅氧下面的正中央保留一定的场氧，其宽度小于多晶硅栅极的宽度。这种减少Qg的方法存在的问题是对减小Qg作用有限，器件频率特性虽有所改善，但仍不能满足高频开关工作特性的需要。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种半导体器件的栅极结构，其特征在于，包括位于衬底上的栅氧化层，位于栅氧化层上的场氧结构，以及位于栅氧化层和场氧结构上的多晶硅分裂栅；所述多晶硅分裂栅包括相互分离的第一栅极结构和第二栅极结构，所述场氧结构的宽度小于所述第一栅极结构和第二栅极结构之间相互背离的两面的距离、且大于第一栅极结构和第二栅极结构之间的间隔，所述第一栅极结构和第二栅极结构之间的间隔区域在场氧结构上的正投影不应超出场氧结构的边缘，所述栅氧化层的两端分别搭接于衬底内的一阱区上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李学会，
申请(专利权)人：深圳深爱半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44