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本实用新型涉及一种半导体器件的栅极结构，包括位于衬底上的栅氧化层，位于栅氧化层上的场氧结构，以及位于栅氧化层和场氧结构上的多晶硅分裂栅；场氧结构的宽度小于第一栅极结构和第二栅极结构之间相互背离的两面的距离、且大于第一、二栅极结构之间的间隔，...
该专利属于深圳深爱半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳深爱半导体股份有限公司授权不得商用。

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