本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构的制备方法，包括以下步骤。提供衬底；于衬底内形成接触孔；对接触孔的表面进行预处理，以改善接触孔的表面状态；于预处理后的接触孔内及衬底的上表面形成电极结构。上述半导体结构的制备方法可以替...

本申请涉及一种继电器测试装置，该继电器测试装置包括：驱动电路

本发明涉及一种栅氧层的制造方法及沟槽栅型

本发明涉及一种继电器测试装置，包括：波形发生器，用于输出测试信号；继电器线圈接口，用于连接待测继电器的线圈；继电器触点接口，用于连接待测继电器的触点；取样电阻，一端与继电器触点接口连接，另一端接地；负载单元，一端与继电器触点接口连接，另...

本申请涉及半导体生产设备技术领域，本申请实施例提供了一种除胶装置。上述除胶装置中，除胶装置至少包括基座、夹紧机构和除胶机构，通过将多个封装件放置于基座的容置槽内，并借助夹紧机构固定放置于容置槽内的多个封装件，再利用除胶机构进行对多个封装...

本实用新型涉及一种炉帽及扩散炉。炉帽包括帽体，帽体设有相互连通的容纳槽与出气孔，出气孔用于与外部抽风管道连通，帽体用于套设炉管的管口；帽体套设炉管的管口时，容纳槽的槽口边缘绕周向抵压于炉管的外壁，以与炉管密封连接，以使炉管排出的气体经过...

本发明公开了一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构的制备方法包括：形成外延层；于所述外延层内形成沟槽；于所述沟槽内形成栅极结构，所述栅极结构包括有效栅结构及分裂栅结构，所述有效栅结构位于所述分裂栅结构的上表面；于所述外延层内形成...

本发明公开了一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构的制备方法包括：形成外延层；于所述外延层内形成沟槽；于所述沟槽内形成栅极结构；于所述外延层内形成阱区；于所述阱区内形成源区，所述源区位于所述栅极结构相对的两侧；于所述外延层的上表...

本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，通过在漂移区的第一表层设置具有第一端和第二端的电阻结构，并设置至少两个与各体区一一对应的栅源结构，栅源结构的栅极区覆盖体区形成的沟道并延伸覆盖至体区，相邻两个栅源结构包括第一栅源结构和第二栅源结构，...

本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，通过在漂移区的第一表层设置具有第一端和第二端的电阻结构，并将第一端与栅极区电连接，第二端与漏极区电连接，相当于在栅极区和漏极区之间并联了一个电阻，如此当半导体器件应用于半导体芯片时，则无需在半导体芯...

本发明公开了一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构的制备方法包括：提供基底；于基底内形成沟槽；于沟槽内形成分裂栅结构，分裂栅结构包括虚拟分裂栅结构及引出部，引出部位于虚拟分裂栅结构的上表面；与传统垂直栅MOS管原胞结构相比，在同...

本发明公开了一种功率器件及制备方法，功率器件包括：衬底；外延叠层结构，所述外延叠层结构包括依次叠置的第一外延层、第二外延层及第三外延层；所述第一外延层位于所述衬底的表面；沟槽晶体管，所述沟槽晶体管包括栅极沟槽及栅极结构，所述栅极沟槽位于...

本发明公开了一种沟槽型原胞结构及制备方法，沟槽型原胞结构的制备方法包括：形成第一导电类型的外延层，并于第一导电类型的外延层内形成有沟槽；于沟槽内形成栅极结构；于第一导电类型的外延层内形成第二导电类型的体区，第二导电类型的体区位于栅极结构...

本实用新型涉及一种功率器件、用于功率器件制造的光掩膜板及集成电路，该功率器件包括：主结和横向变掺杂终端。其中，所述横向变掺杂终端最靠近所述主结的位置与所述主结的间距为第一预设距离，所述第一预设距离大于或等于主结横向扩散尺寸，小于或等于5...

本申请涉及一种浪涌电压抗扰度的测试方法和浪涌电压抗扰度的测试装置。该浪涌电压抗扰度的测试方法，应用于浪涌抗扰度测试系统。该方法通过确定脉冲发生器的极性参数，控制脉冲发生器的脉冲信号生成的脉冲信号为正极性脉冲信号或负极性脉冲信号，通过确定...

本申请涉及一种平面T型栅晶体管原胞结构及制作方法，该方法包括：在导电外延片上形成氧化层，在氧化层制作硅槽再生成电位平衡虚拟栅氧化层。淀积掺杂多晶，掩备多晶并刻蚀未被掩备的多晶，腐蚀氧化层再次热生长栅氧化层，回填淀积掺杂多晶，掩备预留的平...

本申请涉及一种照明灯驱动芯片和驱动电路，该照明灯驱动芯片包括合封于封装体内的供电模块、偏置模块、逻辑控制模块、电流采样与监测模块、功率管、续流模块和逐流模块。电流采样与监测模块连接封装体的CS管脚，功率管和续流模块连接封装体的DRN管脚...

本申请涉及一种沟槽型IGBT原胞结构制作方法和沟槽型IGBT原胞结构，该方法包括：在导电单晶片上形成氧化层，在两个原胞间的氧化层上生长locos氧化层薄膜；用淀积氧化层作为硬掩模来制作硅槽，并在硅槽生长牺牲氧化层进行腐蚀，再生成栅氧化层...

本发明涉及一种晶体管终端结构及其制备方法，晶体管终端结构优化了该晶体管的主结的电场强度，提高晶体管器件的反压值。同时，晶体管终端结构设置有多个沟槽，使多个终端浮空环的曲率半径小于第一曲率半径，在晶体管器件加压时多个终端浮空环的电场强度分...

本申请涉及一种LED驱动模块还包含还驱动模块的LED发光电路，其中，LED模块包括：第一开关管，其输入端和输出端分别通过第二连接端口和第三连接端口接入由供电单元、LED灯珠、电感串联而成的串联支路；峰值检测与保持单元，与第一连接端口以获...