栅氧层的制造方法及沟槽栅型技术

本发明专利技术涉及一种栅氧层的制造方法及沟槽栅型

【技术实现步骤摘要】
栅氧层的制造方法及沟槽栅型IGBT的制造方法


[0001]本申请涉及半导体制造，特别是涉及一种栅氧层的制造方法，还涉及一种沟槽栅型
IGBT
的制造方法
。

技术介绍

[0002]绝缘栅式双极型晶体管
(Insulated Gate Bipolar Transistor
，
IGBT)
是一种现代功率半导体大规模应用的器件
。
沟槽栅型
IGBT
是一种区别于早期平面栅型
IGBT
的新型结构，其在器件的电流能力方面得到了大幅度提升
。
[0003]在沟槽栅型
IGBT
的加工步骤中，有一个非常关键的流程就是在沟槽内生长薄氧作为器件的栅氧化层，该氧化层的成膜质量对于器件的良率和可靠性都有着非常重大的影响，因此该氧化层的质量成为各家工厂
(Fab)
重点控制的指标
。
[0004]一种示例性地沟槽栅型
IGBT
的栅氧化层的生长方式为直接氧化，即在高温工艺腔体内的温本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种栅氧层的制造方法，包括：步骤
A
，将待形成栅氧层的晶圆置于热氧化设备中，并将所述晶圆所处的环境温度加热至第一温度区间；步骤
B
，在所述步骤
A
之后向所述热氧化设备中通入氧气，并将所述环境温度加热至第二温度区间，开始生成栅氧层；所述第二温度区间的温度高于所述第一温度区间的温度；步骤
C
，在所述步骤
B
之后向所述热氧化设备中通入含氮元素的无机气体；所述步骤
C
期间所述环境温度保持在第三温度区间，所述第三温度区间的温度高于所述第一温度区间的温度；步骤
D
，在所述步骤
C
之后向所述热氧化设备中通入氧气；所述步骤
D
期间所述环境温度保持在第四温度区间，所述第四温度区间的温度高于所述第一温度区间的温度
。2.
根据权利要求1所述的栅氧层的制造方法，其特征在于，所述步骤
D
之后还包括使所述晶圆处于热处理保护气氛中，并将所述环境温度降至第五温度区间的步骤；所述第五温度区间的温度低于所述第二温度区间
、
第三温度区间及第四温度区间的温度
。3.
根据权利要求2所述的栅氧层的制造方法，其特征在于，所述第五温度区间为
600
至
800
摄氏度
。4.
根据权利要求1所述的栅氧层的制造方法，其特征在于，所述含氮元素的无机气体包括
N2...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国延，杨发林，王民涛，
申请(专利权)人：深圳深爱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：