一种遮光层的制作方法及阵列基板技术

本发明专利技术公开了一种遮光层的制作方法包括：提供一阵列基板；在所述阵列基板背面上涂敷感光光阻；将预先制作好的纳米压印模具贴合在所述阵列基板背面上，以使所述感光光阻填充到所述纳米压印模具上的空腔上；对涂敷有所述感光光阻的所述阵列基板背面进行曝光，将所述空腔中的所述感光光阻固化在所述阵列基板背面上；去除所述空腔外区域的所述感光光阻，以形成遮光层。本发明专利技术能有效降低遮光层的制作成本，并能改善因遮光层边坡导致电性不良的问题。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种遮光层的制作方法及阵列基板。【
技术介绍
】在低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)工艺中，因多晶硅(p_Si)迀移率(30-300cm2/vs)较高，受光照影响，TFT1ff (关态电流)会变大，最终导致显示不良。请参阅图1，为改善此情况，业内一般采用LS(Line Shied Layer，遮光层)，即将遮光层10设置在玻璃基板20上方，用于对TFT沟道的p-Si (多晶硅)进行光遮挡。请参阅图2，但由于遮光层边坡存在，在边坡位置，后续非晶硅成膜时也会形成边坡，在随后的ELA(激发态激光退火)过程中，此边坡可能导致多晶化的不均匀，如边坡I导致边坡3的产生，边坡3处ELA可能晶化不均，最终造成显示不良。故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。【
技术实现思路
】本专利技术的目的在于提供一种遮光层的制作方法及阵列基板，旨在解决现有技术中存在的由于遮光层边坡存在，在边坡位置，后续非晶硅成膜时也会形成边坡，在随后的ELA(激发态激光退火)过程中，此边坡可能导致多晶化的不均匀，最终造成显示不良的问题。为解决上述问题，本专利技术的技术方案如下:本专利技术提供一种遮光层的制作方法，所述遮光层的制作方法包括:提供一阵列基板；在所述阵列基板背面上涂敷感光光阻；将预先制作好的纳米压印模具贴合在所述阵列基板背面上，以使所述感光光阻填充到所述纳米压印模具上的空腔上；对涂敷有所述感光光阻的所述阵列基板背面进行曝光，将所述空腔中的所述感光光阻固化在所述阵列基板背面上；去除所述空腔外区域的所述感光光阻，以形成遮光层。优选的，在所述的遮光层的制作方法中，在所述提供一阵列基板的步骤之后，还包括:在所述阵列基板背面上制作第一对位标记；所述第一对位标记，用于与具有所述纳米压印模具的玻璃上的第二对位标记进行对位。优选的，在所述的遮光层的制作方法中，所述第一对位标记设置于所述阵列基板背面的四个边角位置处。优选的，在所述的遮光层的制作方法中，制作所述纳米压印模具的步骤，包括:提供一玻璃，在所述玻璃上制作所述纳米压印模具，所述纳米压印模具具有呈矩阵排列的空腔。优选的，在所述的遮光层的制作方法中，在具有所述纳米压印模具的玻璃上制作第二对位标记；所述第二对位标记，用于与所述阵列基板上的第一对位标记进行对位。优选的，在所述的遮光层的制作方法中，所述感光光阻为液态光固化Ink材料。优选的，在所述的遮光层的制作方法中，所述将预先制作好的纳米压印模具贴合在所述阵列基板背面上的步骤，包括:将所述玻璃上的第二对位标记与所述阵列基板上的第一对位标记进行对位，将所述纳米压印模具贴合在所述阵列基板背面上。优选的，在所述的遮光层的制作方法中，所述对涂敷有所述感光光阻的所述阵列基板背面进行曝光的步骤，包括:对涂敷有所述感光光阻的所述阵列基板背面进行UV曝光。优选的，在所述的遮光层的制作方法中，所述去除所述空腔外区域的所述感光光阻，以形成遮光层的步骤，包括:使用化学洗剂或蚀刻工艺，去除所述空腔外区域的所述感光光阻，以形成遮光层。本专利技术还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括:一遮光层，用于对沟道的多晶硅进行光遮挡；—玻璃基板，设置于所述遮光层上方；—衬垫层，设置于所述玻璃基板上方；一介质层，设置于所述衬垫层上方；—通道层，设置于所述介质层上方，所述通道层包括沟道的多晶硅；—栅极绝缘层，设置于所述通道层上方；—第一金属层，设置于所述栅极绝缘层上方，用于形成栅极；—隔离层，设置于所述第一金属层上方，用于隔离所述第一金属层和第二金属层；—欧姆接触层，设置于所述隔离层上方；—第二金属层，设置于所述欧姆接触层上方，用于形成所述源极和漏极。相对现有技术，通过采用纳米压印技术，并使用光固化的Ink材料来制作遮光层，能有效节省原来TFT制程中遮光层的制作成本；由于将遮光层设置在阵列基板背面上，因此能有效避免遮光层边坡不平导致a-Si晶化不良的问题。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。【【附图说明】】图1为现有技术提供的阵列基板的结构示意图；图2为现有技术提供的遮光层存在边坡的结构示意图；图3为本专利技术实施例一提供的遮光层的制作方法的实现流程示意图；图4为本专利技术实施例二提供的遮光层的制作方法的实现流程示意图；图5为本专利技术实施例提供的在阵列基板背面上制作第一对位标记的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的在石英玻璃上制作第二对位标记和纳米压印模具的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的阵列基板与纳米压印模具贴合的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图。【【具体实施方式】】本说明书所使用的词语“实施例”意指用作实例、示例或例证。此外，本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为意指“一个或多个”，除非另外指定或从上下文清楚导向单数形式。在本专利技术中，采用纳米压印技术，并使用光固化的Ink材料来制作遮光层，能有效节省原来TFT制程中遮光层的制作成本；由于将遮光层设置在阵列基板背面上，因此能有效避免遮光层边坡不平导致a-Si晶化不良的问题。为了说明本专利技术所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。实施例一请参阅图3，为本专利技术实施例一提供的遮光层的制作方法的实现流程，其主要包括以下步骤:在步骤SlOl中，提供一阵列基板；在本专利技术实施例中，所述阵列基板为已经制作好薄膜场效应晶体管的栅极、源极和漏极。在步骤S102中，在所述阵列基板背面上涂敷感光光阻；在本专利技术实施例中，所述感光光阻在光作用下发生聚合固化，可阻止光的穿透。优选的，本实施例采用液态光固化Ink材料作为所述感光光阻。在步骤S103中，将预先制作好的纳米压印模具贴合在所述阵列基板背面上，以使所述感光光阻填充到所述纳米压印模具上的空腔上；在步骤S104中，对涂敷有所述感光光阻的所述阵列基板背面进行曝光，将所述空腔中的所述感光光阻固化在所述阵列基板背面上；在本专利技术实施例中，对涂敷有所述感光光阻的所述阵列基板背面进行UV曝光，将所述空腔中的所述感光光阻固化在所述阵列基板背面上。在步骤S105中，去除所述空腔外区域的所述感光光阻，以形成遮光层。在本专利技术实施例中，使用化学洗剂或蚀刻等工艺，去除所述空腔外区域的所述感光光阻，以形成遮光层。实施例二请参阅图4，为本专利技术实施例二提供的遮光层的制作方法的实现流程，其主要包括以下步骤:在步骤S201中，提供一阵列基板；在本专利技术实施例中，所述阵列基板为已经制作好薄膜场效应晶体管的栅极、源极和漏极。在步骤S202中，在所述阵列基板背面上制作第一对位标记；在本专利技术实施例中，请参阅图5，为本专利技术实施例提供的在阵列基板背面上制作第一对位标记的结构示意图；在所述阵列基板背面上制作第一对位标记10 ;所述第一对位标记10，用于与具有所述纳米压印模具的玻璃上的第二对位标记进行对位。优选的，在本实施例中，所述第一对位标记10设置于所述阵列基板背面的四个边角位置处。然而，可以理解的是，也可以当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种遮光层的制作方法，其特征在于，所述遮光层的制作方法包括：提供一阵列基板；在所述阵列基板背面上涂敷感光光阻；将预先制作好的纳米压印模具贴合在所述阵列基板背面上，以使所述感光光阻填充到所述纳米压印模具上的空腔上；对涂敷有所述感光光阻的所述阵列基板背面进行曝光，将所述空腔中的所述感光光阻固化在所述阵列基板背面上；去除所述空腔外区域的所述感光光阻，以形成遮光层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杜海波，申智渊，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42