阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法，属于显示技术领域，解决了现有技术中多晶硅的晶界上存在大量悬空键的技术问题。该制造方法包括：形成非晶硅层；将所述非晶硅层转化为多晶硅层；对所述多晶硅层进行蚀刻，形成硅岛；对所述硅岛进行离子植入工艺；利用等离子体，对所述硅岛中的多晶硅进行补氢。本发明专利技术可用于采用低温多晶硅技术的阵列基板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，具体的说，涉及一种。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器已经成为最为常见的显示装置。阵列基板是液晶显示器的重要部件，其中的薄膜晶体管阵列用于控制每个像素的亮度和颜色。薄膜晶体管中主要包括栅极、源极、漏极和有源层，目前越来越多的产品已经采用低温多晶娃(Low Temperature Poly-silicon，简称LTPS)作为有源层的材料，替代传统的非晶硅。与传统的非晶硅相比，低温多晶硅具有更高的载流子迀移率，因此能够实现更高的分辨率和更低的功耗。目前，利用低温多晶硅形成薄膜晶体管的有源层的过程主要包括:首先在基板上形成一层非晶娃，然后利用准分子激光退火(Excimer Laser Annealer，简称ELA)工艺将非晶硅转化为多晶硅，再对多晶硅进行蚀刻，形成硅岛(有源层的图形)，最后对硅岛进行粒子植入工艺，植入所需的离子即可形成薄膜晶体管的有源层。但是，非晶硅通过ELA工艺转化为多晶硅之后，多晶硅的晶界会产生突起，对导通电子的阻碍较大，而且由于原子组合不够完全，多晶硅的晶界上会产生大量悬空键，影响载流子的迀移率，不利于获得较高的开态电流，对薄膜晶体管的电性造成影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，以解决现有技术中多晶硅的晶界上存在大量悬空键的技术问题。本专利技术提供一种阵列基板的制造方法，包括:形成非晶硅层；将所述非晶硅层转化为多晶硅层；对所述多晶娃层进行蚀刻，形成娃岛；对所述硅岛进行离子植入工艺；利用等离子体，对所述硅岛中的多晶硅进行补氢。优选的是，所述等离子体包括氢气和氨气中的至少一种。进一步的是，所述等离子体还包括氮气。优选的是，对所述硅岛进行离子植入工艺，具体包括:向所述硅岛中的多晶硅植入P型离子；向所述硅岛中的多晶硅植入N型离子。优选的是，将所述非晶硅层转化为多晶硅层，具体为:利用准分子激光退火工艺，将所述非晶硅层转化为多晶硅层。进一步的是，在形成非晶娃层之前，还包括:在衬底基板上形成遮光层；在所述遮光层上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上形成氧化硅层。进一步的是，该制造方法还包括:形成栅极绝缘层、栅极金属层、间绝缘层、源漏极金属层、有机膜层、第一透明电极层、钝化层和第二透明电极层。本专利技术还提供一种阵列基板，所述阵列基板中形成有多个硅岛，所述硅岛中的多晶硅填充有氢离子。进一步的是，所述硅岛下方设置有遮光层，且所述硅岛与所述遮光层之间设置有氮化硅层和氧化硅层。优选的是，所述硅岛包括N型掺杂区和无掺杂区。本专利技术带来了以下有益效果:本专利技术提供的阵列基板的制造方法中，在将非晶硅层转化为多晶硅层，并进行蚀刻及离子植入之后，利用等离子体对多晶硅进行补氢。通过补氢操作，能够使多晶硅的晶界上的悬空键被氢离子填充，从而提高了载流子的迀移率，使薄膜晶体管的电性得到改善。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。【附图说明】为了更清楚的说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍:图1是本专利技术实施例提供的阵列基板的示意图；图2是本专利技术实施例提供的阵列基板的制造方法的示意图一；图3是本专利技术实施例提供的阵列基板的制造方法的示意图二；图4是本专利技术实施例提供的阵列基板的制造方法的示意图三；图5是本专利技术实施例提供的阵列基板的制造方法的示意图四。【具体实施方式】以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式，借此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本专利技术中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。本专利技术实施例提供一种阵列基板，可应用于液晶显示器中。如图1所示，该阵列基板中形成有多个硅岛101。其中一些硅岛101可作为薄膜晶体管的有源层，这些硅岛101为NMOS结构，通过离子植入工艺形成N型掺杂区1011和无掺杂区1012 ;另一些硅岛101可用于形成存储电容，不需要进行离子植入。进一步的是，该阵列基板中还包括形成于衬底基板100上的遮光层102，遮光层102位于硅岛101下方，且硅岛101与遮光层102之间设置有氮化硅层103和氧化硅层104。遮光层102用于为硅岛101遮光，防止硅岛101在受到背光源的光照情况下出现光生电流的问题。此外，娃岛101上还覆盖有栅极绝缘层105，栅极绝缘层105上还形成有图中未示出的栅极金属层、间绝缘层、源漏极金属层、有机膜层、第一透明电极层、钝化层、第二透明电极层等膜层结构。本实施例中，硅岛101中的多晶硅填充有氢离子，这样可以使多晶硅101的晶界上的悬空键被氢离子填充，从而提高了载流子的迀移率，使薄膜晶体管的电性得到改善。本专利技术实施例还提供了该阵列基板的制造方法，主要包括以下步骤:...

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，包括：形成非晶硅层；将所述非晶硅层转化为多晶硅层；对所述多晶硅层进行蚀刻，形成硅岛；对所述硅岛进行离子植入工艺；利用等离子体，对所述硅岛中的多晶硅进行补氢。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许可，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42