附载体的铜箔、覆铜积层板、印刷电路板、电子机器、及印刷电路板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种实现良好的视认性及加工精度的附载体的铜箔。本发明专利技术是一种附载体的铜箔，其依序具有载体、中间层、及极薄铜层，并且上述极薄铜层表面的基于JISZ8730的色差ΔL为-40以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术设及一种附载体的铜锥、覆铜积层板、印刷电路板、电子机器、及印刷电路 板的制造方法。
技术介绍
阳〇〇引就配线的容易性或轻量性方面而言，智慧型手机或平板PC等小型电子机器采用 软性印刷电路板（W下记为FPC)。近年来，因运些电子机器的高功能化而要求FPC的多层 化或者对印刷电路板要求导体图案的微细化（微间距化）。随着此种要求，W于配线上形成 电路锻层为代表，于特定位置进行精度良好的加工变得更为重要。 另一方面，应对微间距化，最近要求厚度9ymW下、进而厚度5ymW下的铜锥， 但此种极薄的铜锥的机械强度较低，于制造印刷电路板之时容易破裂或产生皱權，因此出 现了利用具有厚度的金属锥作为载体，于其上经由剥离层电锻极薄铜层而成的附载体的铜 锥。于将极薄铜层的表面贴合于绝缘基板而进行热压接后，经由剥离层将载体剥离去除。通 过于露出的极薄铜层上利用抗蚀剂形成电路图案后，利用硫酸-过氧化氨系蚀刻剂将极薄 铜层蚀刻去除的方法（MSAP:Modified-Semi-Additive-P;rocess，改进半加成法）而形成微 细电路。作为关于此种微细电路用途的附载体的铜锥的技术，例如可列举：W02004/005588 号（专利文献1)、日本特开2007-007937号公报（专利文献2)、日本专利特开2010-006071 号公报（专利文献3)及日本专利特开2009-004423号公报（专利文献4)等。 W02004/005588 号 阳0化]日本特开2007-007937号公报 日本特开2010-006071号公报 日本特开2009-004423号公报。
技术实现思路
于附载体的铜锥的开发中，迄今为止将重屯、置于确保极薄铜层与树脂基材的剥离 强度。因此，关于微间距化尚未进行充分的研究，关于由此产生的加工精度的提高的技术尚 有改善的余地。因此，本专利技术的课题在于提供一种实现良好的加工精度的附载体的铜锥。 本专利技术者等人反复进行努力研究，结果发现可提供一种通过控制附载体的铜锥的 极薄铜层的特定色差、具体而言为极薄铜层表面的基于JISZ8730的色差AL而实现良好 的加工精度的附载体的铜锥。 基于W上见解而完成的本专利技术于一方面中是一种附载体的铜锥，其依序具有载 体、中间层、及极薄铜层，并且上述极薄铜层表面的基于JISZ8730的色差AL为-40W下。 本专利技术于另一方面中是一种附载体的铜锥，其依序具有载体、中间层、及极薄铜 层，并且上述极薄铜层表面的基于JISZ8730的色差AE*油为45W上。 本专利技术的附载体的铜锥于一实施方案中，上述极薄铜层表面的基于JISZ8730的 色差Aa为20W下。 本专利技术的附载体的铜锥于另一实施方案中，上述极薄铜层表面的基于JISZ8730 的色差Ab为20W下。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，上述中间层含有Ni， 将上述附载体的铜锥于220°C加热2小时后，依据JISC6471将上述极薄铜层剥 离时，上述极薄铜层的上述中间层侧表面的Ni附着量为5yg/血2W上300yg/血2W下。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，将上述附载体的铜锥于22(TC加热2 小时后，于剥离上述极薄铜层时，上述极薄铜层的上述中间层侧表面的Ni附着量为5yg/ 血2W上250ug/血2W下。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，将上述附载体的铜锥于220°C加热2 小时后，于剥离上述极薄铜层时，上述极薄铜层的上述中间层侧表面的Ni附着量为5yg/ 血2^上200y邑/血2^下。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，将上述附载体的铜锥于22(TC加热2 小时后，于剥离上述极薄铜层时，上述极薄铜层的上述中间层侧表面的Ni附着量为5yg/ 血2W上 150ygAlm2W下。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，将上述附载体的铜锥于220°C加热2 小时后，于剥离上述极薄铜层时，上述极薄铜层的上述中间层侧表面的Ni附着量为5yg/ 血2W上100yg/血2W下。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，上述中间层的Ni含量为lOOiig/血2 W上5000y邑/血2^下。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，上述中间层含有选自由化、Ni、Co、Fe、 Mo、Ti、W、P、化、A1、化、运些的合金、运些的水合物、运些的氧化物、有机物所组成的群中的 一种或两种W上。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，于上述中间层含有化的情形时，含有 Cr5~100Jig/血2,于含有Mo的情形时，含有Mo50Jig/血2W上1000yg/血2W下，于含 有化的情形时，含有化1yg/血2W上120yg/血2W下。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，上述中间层含有厚度为25nmW上 80nmW下的有机物。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，上述有机物是由选自含氮的有机化合 物、含硫的有机化合物及簇酸中的1种或2种W上构成的有机物。 阳0%] 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，依据JISB0601-1982使用触针式粗糖 度计测得的上述极薄铜层表面的表面粗糖度化为0. 2ymW上1. 5ymW下。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，依据JISB0601-1982使用触针式粗糖 度计测得的上述极薄铜层表面的表面粗糖度化为0. 2ymW上1. 0ymW下。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，依据JISB0601-1982使用触针式粗糖 度计测得的上述极薄铜层表面的表面粗糖度化为0. 2ymW上0. 6ymW下。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，上述表面粗糖度化的标准偏差为 0. 6ymW下。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，上述表面粗糖度化的标准偏差为 0. 4ymW下。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，上述表面粗糖度化的标准偏差为 0. 2ymW下。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，上述表面粗糖度化的标准偏差为 0. 1ymW下。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，于常溫常压下将绝缘基板贴附于上述 附载体的铜锥的极薄铜层侧表面后，及/或 通过于大气中、于20kgf/cm2的压力下进行220°CX2小时的加热而将绝缘基板热 压接于上述附载体的铜锥的极薄铜层侧表面后，及/或 通过于大气中、于20kgf/cm2的压力下进行220°CX2小时的加热而将绝缘基 板热压接于上述附载体的铜锥的极薄铜层侧表面后，于氮气氛围中、于常压下进行2次 180°CXI小时的加热后，于经热压接的状态下， 依据JISC6471剥离上述极薄铜层时的剥离强度为2~lOON/m。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，上述剥离强度为2~50N/m。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，上述剥离强度为2~20N/m。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，于上述载体的两个面依序具有上述中 间层及上述极薄铜层。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，上述载体是由电解铜锥或压延铜锥形 成。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，于上述极薄铜层及上述载体的至少一 个表面或两个表面具有粗化处理层。 本专利技术的附载体的铜锥于又一实施方案中，上述粗化处理层是由选自由铜、儀、 钻、憐、鹤、神、钢、铭及锋所组成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种附载体的铜箔，其依序具有载体、中间层、及极薄铜层，并且该极薄铜层表面的基于JISZ8730的色差ΔL为‑40以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：永浦友太，石井雅史，
申请(专利权)人：JX日矿日石金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP