一种晶圆键合工艺制造技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆键合工艺，包括如下步骤：提供第一晶圆；于所述第一晶圆上表面制备一TEOS层；提供第二晶圆；于所述第二晶圆的上表面形成一氧化层；沉积一氮化硅层以将所述氧化层的上表面予以覆盖；以所述氮化硅层和所述TEOS层为键合面键合所述第一晶圆和所述第二晶圆。本发明专利技术通过于第二晶圆的氧化层之上沉积氮化硅层作为第二晶圆与第一晶圆的TEOS层键合的键合面，使得晶圆键合界面处的单位面积化学键浓度增加，从而可以显著提高晶圆键合强度，消除WLCSP封装过程中晶圆键合界面有裂缝的现象，进而可以满足新型WLCSP封装工艺的要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆键合工艺。
技术介绍
随着半导体技术的发展以及消费电子市场的驱动，封装技术向更轻、更薄、体积更小、电热性能更优良的方向发展。芯片封装工艺由逐个芯片封装向圆片级封装转变，而晶圆级芯片尺寸封装(Wafer Level Chip Scale Package，简称WLCSP)因具有高密度、可靠性高，较小的封装尺寸，较佳的电性表现，较容易组装制程，降低整体生产成本等优点而正好满足封装工艺的要求而逐渐成为目前最先进也是最重要的封装形式之一。目前，晶圆级芯片尺寸封装广泛的应用于消费类芯片产品的封装，但是现有的晶圆键合工艺难以满足WLCSP封装所需的键合强度。现行的晶圆键合工艺所生产的晶圆在WLCSP封装过程中，出现晶圆键合界面有裂缝的现象，这是本领域技术人员所不愿看到的。因此，如何找到一种晶圆键合工艺，以提高晶圆键合强度，消除WLCSP封装过程中晶圆键合界面有裂缝的现象成为本领域技术人员致力于研究的方向。
技术实现思路
针对上述存在的问题，本专利技术公开一种晶圆键合工艺，包括如下步骤:提供第一晶圆；于所述第一晶圆上表面制备一 TEOS层；提供第二晶圆；于所述第二晶圆的上表面形成一氧化层；沉积一氮化硅层，以将所述氧化层的上表面予以覆盖；以所述氮化硅层和所述TEOS层为键合面，将所述第一晶圆与所述第二晶圆键合。作为一个优选的实施例，上述的晶圆键合工艺中:所述氧化层为氧化硅层。作为一个优选的实施例，上述的晶圆键合工艺中:通过热氧化工艺于所述第二晶圆的上表面形成所述氧化层。作为一个优选的实施例，上述的晶圆键合工艺还包括:分别对所述TEOS层和所述氮化硅层进行平坦化处理之后，将所述第一晶圆与所述第二晶圆键合。作为一个优选的实施例，上述的晶圆键合工艺中:采用化学机械抛光工艺分别对所述TEOS层和所述氮化硅层进行平坦化处理。作为一个优选的实施例，上述的晶圆键合工艺中:采用化学气相沉积法沉积所述氮化硅层。作为一个优选的实施例，上述的晶圆键合工艺中:采用混合键合工艺以所述氮化硅层和所述TEOS层为键合面将所述第一晶圆与所述第二晶圆键合。作为一个优选的实施例，上述的晶圆键合工艺中:所述晶圆键合工艺应用于晶圆级芯片尺寸封装工艺中。本专利技术公开的晶圆键合工艺，通过于第二晶圆的氧化层之上沉积氮化硅层作为第二晶圆与第一晶圆的TEOS层键合的键合面，使得晶圆键合界面处的单位面积化学键浓度增加，从而可以显著提高晶圆键合强度，消除WLCSP封装过程中晶圆键合界面有裂缝的现象，进而可以满足新型WLCSP封装工艺的要求。【附图说明】通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术及其特征、夕卜形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。图1-6是本专利技术实施例中晶圆键合工艺的流程结构示意图；图7是本专利技术实施例中晶圆键合工艺的流程示意图；图8a是采用传统的晶圆键合工艺进行WLCSP封装后的键合界面的电子显微镜示意图；图Sb是采用本专利技术的晶圆键合工艺进行WLCSP封装后的键合界面的电子显微镜示意图。【具体实施方式】下面结合附图和具体的实施例对本专利技术作进一步的说明，但是不作为本专利技术的限定。如图7所示，本实施例提供了一种晶圆键合工艺，可应用于晶圆级芯片尺寸封装工艺中，具体包括如下步骤:步骤SI，提供第一晶圆101，该第一晶圆101包括衬底层和介质层(衬底层和介质层图中均未标示)，衬底层可为内设晶体管单元(MOSFET Cell)的硅衬底层，介质层(例如后段制程层或互连多层)内设置有金属互连线，硅衬底层中晶体管的各个电极都相应耦合连接到介质层内的与之对应的金属互连线上，由于衬底层、介质层和金属互连线均非本专利技术改进的重点，为了减少不必要的重复，在此便不予赘述，如图1所示的结构。步骤S2，于第一晶圆101上表面制备TEOS (四乙基原硅酸盐)层102，在本专利技术的一个实施例中，采用化学气相沉积(例如低压化学气相沉积)的方法于第一晶圆101上表面制备该TEOS层102，形成如图2所示的结构。在本专利技术一个优选的实施例中，在形成该TEOS层102之后，还包括对该TEOS层102进行平坦化处理的步骤，以提高晶圆键合的精度，进一步的，可采用化学机械抛光法(Chemial mechanical planarizat1n，简称 CMP)对 TEOS 层 102 进行平坦化处理。步骤S3，提供第二晶圆201，该第二晶圆201可以为已制备有若干半导体器件的晶圆，如图3所示的结构。步骤S4，于第二晶圆201的上表面形成一氧化层202，形成如图4所示的结构。在本专利技术一个优选的实施例中，该氧化层202为氧化硅层。在本专利技术一个优选的实施例中，通过热氧化工艺于第二晶圆201的上表面形成氧化层202，也就是说，该氧化层202为热氧化层(Thermal Oxide)。步骤S5，沉积一氮化硅层203以将氧化层202的上表面予以覆盖；在本专利技术的实施例中，可以采用化学气相沉积法沉积氮化硅层203，形成如图5所示的结构。在本专利技术一个优选的实施例中，在形成该氮化硅层203之后，还包括对该氮化硅层203进行平坦化处理的步骤，以提高晶圆键合的精度，进一步的，可采用化学机械抛光法对氮化硅层203进行平坦化处理。显而易见的，步骤S1、步骤S2和步骤S3、步骤S4、步骤S5的顺序是可以互换的，即可以先进行步骤S3、步骤S4、步骤S5，再进行步骤S1、步骤S2，也可以根据具体需求在步骤之间进行调整，只要不影响本专利技术的目的即可。步骤S6，以氮化硅层203和TEOS层102为键合面键合第一晶圆101和第二晶圆201，形成如图6所示的结构。在本专利技术一个优选的实施例中，采用混合键合工艺以氮化硅层203和TEOS层102为键合面键合第一晶圆101和第二晶圆201。具体的，键合第一晶圆101和所述第二晶圆201的步骤可以为:在将第一晶圆101倒置后，使得第一晶圆101和第二晶圆201面对面接触，之后采用混合键合工艺或者其他键合工艺将位于TEOS层102的上表面和位于第二晶圆201上的氮化硅层203的上表面键合在一起，然后采用减薄工艺对第一晶圆101的衬底进行减薄，形成键合晶圆。在经过WLCSP封装后，如图8a和图8b虚线所包含部分对比可知，本专利技术所采用的晶圆键合工艺在进行WLCSP封装后的键合界面裂缝较传统键合工艺明显消除，这是由于氮化硅键合面比热氧化层键合面上未饱和成键的Si原子多，从而在晶圆键合过程中形成更多地硅羟基(S1-OH)，那么晶圆键合界面处单位面积化学键浓度增加，从而使得晶圆键合强度显著增强实践证明，本专利技术这种由氮化硅键合面和TEOS键合面组成的晶圆键合工艺，可以将晶圆键合强度由传统工艺的0.85J/m2提高到2.25J/m2，从而可以满足新型封装工艺所需的晶圆键合强度。综上，本专利技术公开的晶圆键合工艺，通过于第二晶圆的氧化层之上沉积氮化硅层作为第二晶圆与第一晶圆的TEOS层键合的键合面，而可以显著提高晶圆键合强度，消除WLCSP封装过程中晶圆键合界面有裂缝的现象，进而可以满足新型WLCSP封装工艺的要求。本领域技术人员应该理解，本领域技术人员在结合现有技术以及上述实施例可以实现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆键合工艺，其特征在于，包括如下步骤：提供第一晶圆；于所述第一晶圆上表面制备一TEOS层；提供第二晶圆；于所述第二晶圆的上表面形成一氧化层；沉积一氮化硅层，以将所述氧化层的上表面予以覆盖；以所述氮化硅层和所述TEOS层为键合面，将所述第一晶圆与所述第二晶圆键合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王言虹，王前文，胡胜，孙鹏，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42