半导体封装结构和封装方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体封装结构和封装方法。该封装结构包括基板、位于所述基板上并与该基板电连接的至少一个芯片、以及用于对所述至少一个芯片进行封装的封装层，该封装结构还包括：框架，所述框架被固定在所述至少一个芯片中的一者或多者的上表面上，其中，该框架的热膨胀系数小于所述封装层的热膨胀系数。通过在芯片的上表面上固定框架，可以增加封装结构的对称性。并且，由于框架的热膨胀系数小于封装层的热膨胀系数，因而，增设该框架可以有效降低封装层的热膨胀系数。进而，可以使得在升降温时，封装层与基板的膨胀体积大体上相等。这样，可以有效减小由于热膨胀系数上的差异引起的翘曲，从而防止芯片断裂，提高封装结构的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装领域，具体地，涉及一种半导体封装结构和封装方法。
技术介绍
传统的封装技术主要有两种，一是倒装键合(即，Flip-Chip——倒装焊芯片)，一是引线键合(Wirebond)，分别如图1a和图1b所示。在图1a示出的倒装键合封装技术中，在芯片103与基板101之间植入多个焊球104，并填充底充胶102，以实现芯片103与基板101之间的电连接。之后，利用封装层20对芯片103进行封装。其中，该封装层20的材料可以例如为模塑料(EMC)。在图1b示出的引线键合封装技术中，利用贴片胶105将芯片103粘贴在基板101上，并通过打线的方式实现芯片103与基板101之间的电连接。之后，利用封装层20对芯片103进行封装。通过上述两种封装技术，可以为芯片103提供电连接、保护、支撑、散热等功能。然而，在上述两种封装技术中，由于封装层20的材料(例如，EMC)与基板材料(例如，FR4或BT)在热膨胀系数(CTE)上的差别(例如，某种EMC的热膨胀系数为4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装结构，该封装结构包括基板、位于所述基板上并与该基板电连接的至少一个芯片、以及用于对所述至少一个芯片进行封装的封装层，其特征在于，该封装结构还包括：框架，所述框架被固定在所述至少一个芯片中的一者或多者的上表面上，其中，该框架的热膨胀系数小于所述封装层的热膨胀系数。

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，该封装结构包括基板、位于所述基板上并与
该基板电连接的至少一个芯片、以及用于对所述至少一个芯片进行封装的封
装层，其特征在于，该封装结构还包括：
框架，所述框架被固定在所述至少一个芯片中的一者或多者的上表面
上，其中，该框架的热膨胀系数小于所述封装层的热膨胀系数。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述框架被容纳在
所述封装层中。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
所述框架具有至少一个接合部分，其中，接合部分的数量与该框架所固
定的芯片的数量一致，且接合部分在该框架上的分布与该框架所固定的芯片
的分布相对应；以及
每个接合部分上被附着粘结剂，以使所述框架通过各个附有粘结剂的接
合部分被固定在相应的芯片的上表面上。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述框架的边缘呈
锯齿状，和/或所述框架具有至少一个网孔。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述框架是通过粘
结剂被固定在所述至少一个芯片中的一者或多者的上表面上的；
在所述至少一个芯片与所述基板是通过倒装键合方式电连接的情况下，
所述粘结剂为银浆；
在所述至少一个芯片与所述基板是通过所述引线键合方式电连接的情
况下，所述粘结剂为芯片粘接膜。
6.根据权利要求1-5中任一权利要求所述的封装结构，其特征在于，
所述框架为金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡坚，陈钏，谭琳，王谦，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11