【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶圆级封装
，具体是涉及一种改善斜坡金属反光的晶圆级封装结构。
技术介绍
一些晶圆级封装中，往往要在衬底(半导体基底或具有功能面的晶圆或芯片)上刻出具有斜坡状侧壁的凹槽，该凹槽用于降低封装高度或用于暴露晶圆导电焊垫等。在形成金属线路时，可将半导体基底表面焊盘与凹槽内容置的芯片焊垫电性连接，降低封装高度，也可将衬底一表面的导电焊垫的电性引到凹槽槽底，或者引到另一表面，比如，将晶圆的功能面的导电焊垫的电性引到晶圆的非功能面，这样，金属线路必须通过凹槽的斜坡状侧壁。金属线路的形成过程通常为，先整面铺设金属种子层，以光刻工艺形成预设图案，然后通过刻蚀制程形成金属线路，后续再电镀其他金属。然而，在整面金属种子层上通过光刻工艺形成图案时，凹槽一斜坡状侧壁上如果不设金属线路，该斜坡状侧壁上的正光阻材料会受曝光作用，该位置光阻层下的金属层会反光，容易导致对面斜坡状侧壁上的光阻层感光，产生不必要的光阻反应，从而引起金属线路断路，破坏金属布线。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术提出一种改善斜坡金属反光的晶圆级封装结构，能够确保凹槽两相对斜坡状侧壁上...
【技术保护点】
一种改善斜坡金属反光的晶圆级封装结构，其特征在于：包括一衬底，所述衬底一表面上形成有至少一凹槽(2)，所述凹槽包括槽底(201)和至少一对相对的斜坡状侧壁(202)，所述凹槽的开口尺寸大于槽底尺寸，所述凹槽的至少一侧壁上具有金属线路(3)，所述凹槽与该侧壁相对的另一侧壁上形成有与所述金属线路位置相对的辅助金属图案(4)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沈建树，黄小花，翟玲玲，钱静娴，王晔晔，李玥，
申请(专利权)人：华天科技昆山电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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