含有氧族元素的有机化合物、其制造方法以及用途技术

本发明专利技术提供一种含有氧族元素的有机化合物、其制造方法以及用途，所述含有氧族元素的有机化合物容易合成，热、化学稳定性优异，具有半导体特性(高的载流子迁移率)，且具有对溶剂的高溶解性。本发明专利技术提供式(1)所表示的化合物。式(1)中，X分别独立地为氧、硫或硒；m为0或1；n为0或1；R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种含有氧族元素(chalcogen)的有机化合物及其用途。更详细而言，涉及一种含有氧族元素的有机化合物及其制造方法、包含上述有机化合物的有机半导体材料、包含上述有机半导体材料的有机半导体膜、以及包括上述有机半导体膜的有机场效晶体管(FieldEffectTransistor，FET)。
技术介绍
近年来，具有半导体特性的有机化合物受到关注。其中，并五苯(pentacene)以及并四苯(tetracene)等聚并苯(polyacene)化合物由于其载流子迁移率高，故而以前作为有机半导体材料而已知。此外，本说明书中，“载流子迁移率”是以包含电子迁移率及空穴迁移率的广义含义来使用。然而，公知的聚并苯(polyacene)化合物由于对溶剂的溶解性低，故而难以利用涂布法或者印刷法等来形成膜。因此，必须利用花费制造成本的蒸镀工艺来制作具有半导体特性的元件(以下也称为“元件”)。进而，公知的聚并苯化合物在耐氧化性等化学稳定性方面也存在问题，就产业上的实用性的观点而言是难以使用的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种式(1)所表示的化合物：[化1][式(1)中，X分别独立地为氧、硫或硒；m为0或1；存在2个的n分别独立地为0或1；R1～R3分别独立地为氢、氟、碳数1～20的烷基、芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基，所述烷基中的至少一个氢可经氟取代，所述芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基及噻唑基的环上的至少一个氢可经选自氟及碳数1～10的烷基中的至少一种取代；其中，(i)在m＝0的情况下，所有的R1～R3不会同时为氢；(ii)在m为0的情况下，当n均为0时、以及n的一个为0且另一个为1时，不存在“两个X为硫，且所有的R3同时为同一原子或基团的情况”；(iii)在m为0的情况下，当n均为1时，所有的R3不会同...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.03.05 JP 2013-0427621.一种式(1)所表示的化合物：
[化1]
[式(1)中，X分别独立地为氧、硫或硒；m为0或1；存在2个的n分别独立地为0
或1；R1～R3分别独立地为氢、氟、碳数1～20的烷基、芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻
唑基，所述烷基中的至少一个氢可经氟取代，所述芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基及噻唑基
的环上的至少一个氢可经选自氟及碳数1～10的烷基中的至少一种取代；
其中，
(i)在m＝0的情况下，所有的R1～R3不会同时为氢；
(ii)在m为0的情况下，当n均为0时、以及n的一个为0且另一个为1时，不存在“两
个X为硫，且所有的R3同时为同一原子或基团的情况”；
(iii)在m为0的情况下，当n均为1时，所有的R3不会同时为同一原子或基团，且R3中至少一个为氢]。
2.根据权利要求1所述的化合物，其中式(1)中，所有的R1～R2同时为氢。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中式(1)中，所有的R3不会同时为同一原子
或基团。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物，其中式(1)中，R3中至少一个为氢。
5.根据权利要求4所述的化合物，其是由式(1-1)或式(1-2)所表示：
[化2]
[式(1-1)及式(1-2)中，X、m及n分别与式(1)中的同一记号含义相同；存在2个
的R3分别独立地为氟、碳数1～20的烷基、芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基，所述
烷基中的至少一个氢可经氟取代，所述芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基及噻唑基的环上的至
少一个氢可经选自氟及碳数1～10的烷基中的至少一种取代]。
6.根据权利要求5所述的化合物，其中式(1-1)及式(1-2)中的R3为选自碳数1～20
的烷基、苯基、呋喃基及噻吩基中的同一基团。
7.根据权利要求6所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹谷纯一，冈本敏宏，三津井亲彦，松下武司，
申请(专利权)人：捷恩智株式会社，PICRYSTAL株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP