单环吡啶衍生物制造技术

本发明专利技术披露一种由以下式(IA)代表的化合物或其一种药学上可接受的盐：其中n代表0至2；A代表亚芳基或杂亚芳基；G代表单键、氧原子或-CH2-；E代表含氮非芳族杂环；R1代表烷氧基、烷氧基烷氧基或类似物；R2代表氢原子、卤素原子、羟基、烷基、羟基烷基、含氮非芳族杂环基团或类似物；R3代表氢原子、烷基、烷氧基或类似物；并且R4代表C1-6烷基，其条件是当E代表氮杂环丁烷环并且R2或R3存在于该氮杂环丁烷环上的氮原子上时，该R2或R3不代表氢原子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种由以下式(IA)代表的化合物或其一种药学上可接受的盐：其中n代表0至2；A代表C6‑10亚芳基或C3‑5杂亚芳基；G代表单键、氧原子或‑CH2‑；E代表C3‑5含氮非芳族杂环；R1代表氰基、单‑C1‑6烷基氨基、二‑C1‑6烷基氨基、任选地被1至3个卤素原子取代的C2‑6烷基、任选地被1至3个卤素原子或一个羟基取代的C1‑6烷氧基、任选地被1至3个卤素原子取代的C1‑6烷氧基C1‑6烷基、或任选地被1至3个卤素原子取代的C1‑6烷氧基C1‑6烷氧基；R2代表氢原子、卤素原子、羟基、任选地被一个选自以下所述的基团S的取代基取代的C2‑6酰基、任选地被1至3个卤素原子取代的C1‑6烷基、任选地被1至3个卤素原子取代的羟基C1‑6烷基、或C3‑5含氮非芳族杂环基团；R3代表氢原子、氧代基、任选地被1至3个卤素原子取代的C1‑6烷基、或任选地被1至3个卤素原子取代的C1‑6烷氧基；R4代表C1‑6烷基，其条件是当E代表氮杂环丁烷环并且R2或R3存在于该氮杂环丁烷环上的氮原子上时，该R2或R3不代表氢原子；并且该基团S表示一个基团，该基团由以下各项组成：羟基、单‑C1‑6烷基氨基、二‑C1‑6烷基氨基、C1‑6烷氧基和C3‑5含氮非芳族杂环基团。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：船坂势津雄，冈田聪美，田中圭悟，永尾聪，大桥功，山根义伸，中谷祐介，唐牛夕辉，
申请(专利权)人：卫材RD管理有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP