显示装置用基板以及显示装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供显示装置用基板以及显示装置的制造方法，一个方式中的显示装置用基板具备绝缘基板以及形成于上述绝缘基板的至少一个主面的导电性膜。在该显示用基板中，使用氟化氢的含有浓度为10％以上的氢氟酸水溶液进行的蚀刻中的上述导电性膜的第一蚀刻速率、与上述蚀刻中的上述绝缘基板的第二蚀刻速率实质上相同，或者上述第一蚀刻速率大于上述第二蚀刻速率。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】本专利技术是基于2014年4月18日提出申请的日本专利申请号2014 — 086351提出的，并基于该日本专利申请主张优先权，上述日本专利申请的全部内容都通过援引而被包含于本专利技术。
本专利技术的实施方式涉及。
技术介绍
液晶显示装置、有机电致发光(EL)显示装置等显示装置在绝缘基板上具备用于驱动像素的栅极布线、源极布线等各种布线、开关元件等。在显示装置的制造工序中，例如在绝缘基板与各种制造装置或者输送机构等接触时、摩擦时、剥离时、或者实施等离子体CVD (化学气相淀积)、等离子体蚀刻等等离子体工序时，容易在绝缘基板、浮动状态的布线以及电极等蓄积静电。因此，在制造工序中，存在因该静电而导致开关元件等具有电容的要素因静电放电(Electro Static Discharge:ESD)而被破坏的情况。以下，将这种现象称为静电破坏。近年来，伴随着显示装置的高精细化，开关元件的小型化、布线的微细化不断发展。在小型化了的开关元件中，由于其电容小，因此容易产生静电破坏。因此，谋求制造成品率的改进。
技术实现思路
本专利技术的一实施方式涉及一种显示装置用基板，其特征在于，具备:绝缘基板；以及导电性膜，形成于所述绝缘基板的至少一个主面，使用氟化氢的含有浓度为10%以上的氢氟酸水溶液进行的蚀刻中的所述导电性膜的第一蚀刻速率、与所述蚀刻中的所述绝缘基板的第二蚀刻速率实质上相同，或者所述第一蚀刻速率大于所述第二蚀刻速率。本专利技术的另一实施方式涉及一种显示装置用基板，其特征在于，具备:阵列基板的绝缘基板；以及导电性膜，形成于所述绝缘基板的至少一个主面，由氮化物构成。本专利技术的又一实施方式涉及一种显示装置的制造方法，其特征在于包括:在绝缘基板的第二主面的上方形成开关元件的工序，该绝缘基板在第一主面形成有导电性膜；以及对形成有所述开关元件的所述绝缘基板在所述第一主面形成的所述导电性膜进行浸蚀的工序。本专利技术的又一实施方式涉及一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括在绝缘基板的第二主面的上方形成开关元件的工序，该绝缘基板在第一主面形成有由氮化物构成的导电性膜；所述形成开关元件的工序包括:在所述绝缘基板的所述第二主面的上方形成半导体层以及隔着绝缘膜与该半导体层对置的第一电极的工序；以及形成与所述半导体层中的第二区域及第三区域分别电连接的第二电极及第三电极的工序，在所述半导体层中，第二区域和第三区域隔着与所述第一电极对置的第一区域。【附图说明】图1是示出一个实施方式所涉及的液晶显示装置的结构的一部分的剖视图。图2是图1所示的像素的简要俯视图。图3是上述液晶显示装置的制造工序的简要的流程图。图4是用于对阵列基板的制造工序进行说明的剖视图。图5是用于对阵列基板的制造工序进行说明的剖视图。图6A是示出第一绝缘基板的端面的剖视图。图6B是示出第一绝缘基板的端面的剖视图。图7是用于对阵列基板的制造工序进行说明的剖视图。图8是用于对阵列基板的制造工序进行说明的剖视图。图9是用于对阵列基板的制造工序进行说明的剖视图。图10是用于对研磨第一绝缘基板的工序进行说明的剖视图。图11是用于对膜厚不均的产生原理进行说明的图。图12是用于对在上述实施方式中抑制膜厚不均的原理进行说明的图。图13是用于对使用双栅型的开关元件的变形例进行说明的图。图14是用于对在第一基板形成有多个导电性膜的变形例进行说明的图。【具体实施方式】大体来说，根据一个实施方式，显示装置用基板具备绝缘基板和导电性膜。上述导电性膜形成于上述绝缘基板的至少一个主面。在该显示装置用基板中，在使用氟化氢的含有浓度为10%以上的氢氟酸水溶液进行的蚀刻中的上述导电性膜的第一蚀刻速率与上述蚀刻中的上述绝缘基板的第二蚀刻速率实质上相同、或者上述第一蚀刻速率大于上述第二蚀刻速率。在其他的实施方式中，显示装置用基板具备阵列基板的绝缘基板和导电性膜。上述导电性膜由氮化物构成，且形成于上述绝缘基板的至少一个主面。在一个实施方式中，显示装置的制造方法包括:在绝缘基板的第二主面的上方形成开关元件的工序，该绝缘基板在第一主面形成有导电性膜；以及对形成有上述开关元件的上述绝缘基板在上述第一主面形成的上述导电性膜进行浸蚀的工序。在其他的实施方式中，显示装置的制造方法包括:在绝缘基板的第二主面的上方形成开关元件的工序，该绝缘基板在第一主面形成有由氮化物构成的导电性膜。在该制造方法中，形成上述开关元件的工序包括:在上述绝缘基板的上述第二主面的上方形成半导体层以及隔着绝缘膜与该半导体层对置的第一电极的工序；以及形成与上述半导体层中的第二区域及第三区域分别电连接的第二电极及第三电极的工序，在上述半导体层中，第二区域和第三区域隔着与上述第一电极对置的第一区域。参照附图对一个实施方式进行说明。另外，此处的公开只不过是一个例子，本领域技术人员在不改变专利技术的主旨的情况下所能够容易地想到的适当变更当然也包含于本专利技术的范围。并且，在图中，为了使说明更加明确，与实际情况相比，有时示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等，这只不过是一个例子，并不是对本专利技术的解释进行限定。并且，在本说明书和各图中，有时对相同或者类似的构成要素标注相同的标号并省略详细说明。在本实施方式中，对显示装置为液晶显示装置的情况进行说明。然而，显示装置并不限于液晶显示装置，可以是有机电致发光显示装置等自发光型显示装置、或者是具有电涌元件等的电子纸型显示装置等所有的平面型的显示装置。并且，本实施方式所涉及的显示装置例如能够在智能手机、平板终端、便携式电话终端、笔记本式电脑、游戏机、车载设备等各种装置中使用。图1是示出本实施方式所涉及的液晶显示装置I的结构的一部分的剖视图。液晶显示装置I例如具备有源矩阵型的透射型的液晶显示面板LPN和背光BL。液晶显示面板LPN具有显示图像的有源区ACT。该有源区ACT包含呈矩阵状地排列的多个像素PX。在图1中仅示出与一个像素PX对应的结构。液晶显示面板LPN具备阵列基板AR、与阵列基板AR对置配置的对置基板CT、以及被保持在阵列基板AR与对置基板CT之间的液晶层LQ。阵列基板AR具备具有透光性的第一绝缘基板10。在本实施方式中，第一绝缘基板10是玻璃基板。但是，作为第一绝缘基板10，也可以使用树脂基板等其他种类的绝缘基板。背光BL配置在阵列基板AR的背面侧。作为背光BL，例如能够使用利用发光二极管(LED)作为光源的类型等各种类型。在本实施方式中，将与背光BL对置的第一绝缘基板10的表面(外表面)称为第一主面10A，将与对置基板CT对置的第一绝缘基板10的表面(内表面)称为第二主面10B。并且，以与上述第一主面1A以及第二主面1B平行的方式定义X方向以及与X方向正交的Y方向。图示的例子的液晶显示面板LPN在阵列基板AR具备像素电极PE以及共用电极CE。在这种结构的液晶显示面板LPN中，利用在像素电极PE以及共用电极CE之间形成的电场使液晶层LQ所包含的液晶分子开关。阵列基板AR在第二主面1B侧具备底涂层(under coat) 11、第一绝缘膜12、第二绝缘膜13、第三绝缘膜14、第四绝缘膜15、开关元件SW、像素电极PE、共用电极CE、第一取向膜ALl。第一绝缘基板10的第二主面1B由底涂层11覆盖。底涂层11由硅氧化物(S1)、硅氮氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置用基板，其特征在于，具备：绝缘基板；以及导电性膜，形成于所述绝缘基板的至少一个主面，使用氟化氢的含有浓度为10％以上的氢氟酸水溶液进行的蚀刻中的所述导电性膜的第一蚀刻速率、与所述蚀刻中的所述绝缘基板的第二蚀刻速率实质上相同，或者所述第一蚀刻速率大于所述第二蚀刻速率。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：上村孝明，平田教行，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本;JP